| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·硅微通道阵列及其加工技术 | 第7-9页 |
| ·硅微通道阵列的应用 | 第9-14页 |
| ·电化学腐蚀硅微通道阵列技术的国内外研究进展及难点 | 第14-16页 |
| ·本论文研究的主要内容及意义 | 第16-18页 |
| 第二章 半导体光生载流子基本输运理论 | 第18-27页 |
| ·硅的表面特性 | 第18-20页 |
| ·半导体硅材料的能带理论 | 第20-24页 |
| ·Si/HF界面载流子输运理论 | 第24-27页 |
| 第三章 光生空穴的激发特性 | 第27-39页 |
| ·不同影响因素对光生空穴激发影响实验 | 第27-32页 |
| ·光生空穴输运对光电流的影响 | 第32页 |
| ·波长对空穴激发特性的影响 | 第32-34页 |
| ·光照强度对空穴激发特性的影响 | 第34-35页 |
| ·欧姆接触层对空穴激发特性的影响 | 第35-39页 |
| 第四章 温度和电压对光生载流子输运特性的影响 | 第39-50页 |
| ·不同影响因素对空穴输运影响实验 | 第39-42页 |
| ·空穴输运对阵列形貌的影响 | 第42-43页 |
| ·温度对光生空穴输运特性的影响 | 第43-46页 |
| ·腐蚀电压对光生空穴输运特性的影响 | 第46-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 发表文章 | 第54页 |