ZnTe薄膜和GaN基异质结构的制备及光学特性
| 摘要 | 第1-14页 |
| ABSTRACT | 第14-19页 |
| 符号表 | 第19-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-26页 |
| ·ZnTe材料的晶体结构 | 第20-21页 |
| ·ZnTe材料的基本性质 | 第21-22页 |
| ·ZnTe的能带结构 | 第22页 |
| ·ZnTe材料的国内外研究现状 | 第22-23页 |
| ·研究课题的选取依据 | 第23-25页 |
| ·本论文的工作及主要内容 | 第25-26页 |
| 第二章 半导体的光吸收和光辐射 | 第26-37页 |
| ·半导体中的光吸收 | 第26-31页 |
| ·半导体中的光辐射 | 第31-37页 |
| 第三章 材料的外延生长技术和表征方法 | 第37-56页 |
| ·常用的外延生长技术 | 第37-42页 |
| ·分子束外延 | 第37-39页 |
| ·金属有机化合物气相外延 | 第39-41页 |
| ·液相外延 | 第41-42页 |
| ·衬底材料的选择 | 第42-44页 |
| ·外延生长的基本生长模式 | 第44-45页 |
| ·常用的半导体表征手段 | 第45-56页 |
| 第四章 ZnTe异质外延层的性质 | 第56-68页 |
| ·概述 | 第56-57页 |
| ·样品制备及测试 | 第57页 |
| ·ZnTe异质外延层的性质 | 第57-67页 |
| ·ZnTe异质外延层的表面形貌 | 第57-58页 |
| ·ZnTe异质外延层的光学性质 | 第58-65页 |
| ·ZnTe异质外延层的结构性质 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 ZnTe同质外延层的性质 | 第68-84页 |
| ·概述 | 第68页 |
| ·样品制备和测试 | 第68-69页 |
| ·ZnTe同质外延层的性质 | 第69-78页 |
| ·ZnTe同质外延层的光学性质 | 第69-73页 |
| ·ZnTe同质外延层的结构性质 | 第73-76页 |
| ·激发功率对PL谱的影响 | 第76-78页 |
| ·ZnTe体材料和同质外延层的性质比较 | 第78-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第六章 GaN外延层的带边发光及应力分析 | 第84-94页 |
| ·概述 | 第84页 |
| ·样品制备和测试 | 第84-85页 |
| ·GaN外延层的激子发光特性 | 第85-91页 |
| ·GaN外延层中的应力 | 第91-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第七章 AlN/GaN异质结构的性质 | 第94-112页 |
| ·概述 | 第94页 |
| ·样品制备和实验测试 | 第94-95页 |
| ·AlN/GaN异质结构的电学性质 | 第95-96页 |
| ·AlN/GaN异质结构的光学性质 | 第96-105页 |
| ·AlN/GaN异质结构的表面形貌和结构性质 | 第105-107页 |
| ·AlN/GaN异质结构的应力分析 | 第107-110页 |
| ·本章小结 | 第110-112页 |
| 第八章 总结 | 第112-116页 |
| ·已完成的工作 | 第112-114页 |
| ·论文的主要创新点 | 第114页 |
| ·未来的工作展望 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| 攻读博士学位期间学术成果 | 第129-130页 |
| 附件 | 第130-138页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第138页 |
