| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·量子尺寸效应 | 第12页 |
| ·表面效应 | 第12-13页 |
| ·纳米晶光致发光机理的研究 | 第13-14页 |
| ·SiC半导体纳米晶的研究现状 | 第14-17页 |
| ·SiC纳米材料 | 第14页 |
| ·SiC材料的结构特征 | 第14页 |
| ·SiC纳米晶的制备方法 | 第14-16页 |
| ·SiC量子点的发光机制研究 | 第16-17页 |
| ·CdE(E=S,Se,Te)纳米晶的研究现状 | 第17-21页 |
| ·制备方法进展 | 第17-18页 |
| ·有机体系中制备CdE(E=S,Se,Te)半导体纳米晶的性能控制 | 第18-21页 |
| ·Si纳米晶的研究现状 | 第21-22页 |
| ·Si纳米晶材料 | 第21页 |
| ·Si纳米晶的制备方法 | 第21-22页 |
| ·Si纳米晶的发光性能 | 第22页 |
| ·半导体纳米晶材料研究的现实意义 | 第22-23页 |
| ·本研究的主要内容及意义 | 第23-25页 |
| ·本研究的主要意义 | 第23-24页 |
| ·本研究的主要内容 | 第24-25页 |
| 第2章 SiC纳米晶的水热法制备及其表征 | 第25-47页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·水热法制备SiC纳米晶 | 第25-27页 |
| ·实验原料 | 第26页 |
| ·实验所用设备 | 第26-27页 |
| ·SiC纳米晶的制备 | 第27-29页 |
| ·原料比率的确定 | 第27页 |
| ·实验反应过程 | 第27-29页 |
| ·分析表征方法 | 第29页 |
| ·显微形貌的观察 | 第29页 |
| ·成分分析 | 第29页 |
| ·光致发光(PL)光谱分析 | 第29页 |
| ·实验产物表征及分析 | 第29-44页 |
| ·SiC纳米晶的形貌及尺寸分析 | 第30-31页 |
| ·成分分析 | 第31-32页 |
| ·温度对SiC纳米晶形貌和尺寸的影响 | 第32-35页 |
| ·压强对纳米晶形貌和尺寸的影响 | 第35-36页 |
| ·不同位置形成的产物的形貌 | 第36-37页 |
| ·水热法制备的SiC内米晶的光致发光性能分析 | 第37-38页 |
| ·保温时间对发光性能的影响 | 第38-39页 |
| ·粒径对发光强度及PL发光特性的影响 | 第39-40页 |
| ·SiC纳米晶PL性能的光稳定性及氧气稳定性研究 | 第40页 |
| ·其它形状SiC纳米晶 | 第40-44页 |
| ·SiC纳米晶制备机理的探讨 | 第44-46页 |
| ·高温高压下水的行为 | 第44-45页 |
| ·水热温度梯度工艺 | 第45页 |
| ·SiC纳米晶制备机理的推测 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第3章 CdS纳米晶的制备及其表征 | 第47-60页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·有机液相非配位溶剂法制备CdS纳米晶 | 第47-49页 |
| ·实验所用原料 | 第47-48页 |
| ·实验所用设备 | 第48-49页 |
| ·CdS纳米晶的制备 | 第49-50页 |
| ·前驱体溶液配备 | 第49-50页 |
| ·反应 | 第50页 |
| ·萃取 | 第50页 |
| ·检测 | 第50页 |
| ·分析表征方法 | 第50-51页 |
| ·显微形貌的观察 | 第50-51页 |
| ·紫外-可见吸收(UV-vis)光谱 | 第51页 |
| ·光致发光(PL)光谱 | 第51页 |
| ·实验产物表征及分析 | 第51-58页 |
| ·CdS纳米晶的形貌、结构分析 | 第51-52页 |
| ·反应时间对CdS纳米晶尺寸的影响 | 第52-53页 |
| ·CdS纳米晶的发光性能 | 第53-54页 |
| ·反应时间对CdS纳米晶光学性能的影响 | 第54-56页 |
| ·配体成分配比对纳米晶形貌及光学性能的影响 | 第56-57页 |
| ·OA浓度对PL性能的影响 | 第57-58页 |
| ·CdS纳米晶生长机理探讨 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第4章 Si纳米线的制备及表征 | 第60-67页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·实验 | 第60-61页 |
| ·实验原料 | 第60-61页 |
| ·实验所用设备 | 第61页 |
| ·Si纳米线的制备 | 第61页 |
| ·原料及实验参数的确定 | 第61页 |
| ·实验反应过程 | 第61页 |
| ·分析表征方法 | 第61-62页 |
| ·显微形貌的观察 | 第61页 |
| ·成分及结构分析 | 第61-62页 |
| ·光致发光(PL)光谱分析 | 第62页 |
| ·实验产物表征及分析 | 第62-65页 |
| ·Si纳米线的形貌及尺寸分析 | 第62-63页 |
| ·Si纳米线的Raman分析 | 第63-65页 |
| ·Si纳米线的光致发光性能分析 | 第65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 总结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |