| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| ·研究背景 | 第16-20页 |
| ·我们的工作 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 半导体磁输运实验和分析方法 | 第26-44页 |
| ·磁输运实验方法和测试系统 | 第26-32页 |
| ·迁移率谱分析和计算技术 | 第32-37页 |
| ·Shubnikov-de Hass 振荡分析 | 第37-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 新型半导体薄膜和红外器件结构的制备和表征 | 第44-79页 |
| ·ZnO 文献综述 | 第44-49页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第44-46页 |
| ·ZnO 的制备和掺杂 | 第46-48页 |
| ·ZnO 的应用领域 | 第48-49页 |
| ·p 型ZnO 薄膜的制备和表征 | 第49-58页 |
| ·p 型ZnO 薄膜的制备 | 第49-52页 |
| ·p 型ZnO 薄膜的表征 | 第52-58页 |
| ·新型半导体红外器件结构的制备和表征 | 第58-69页 |
| ·GaAs 远红外反射镜结构 | 第58-62页 |
| ·InAsSb 量子点中红外发光二极管结构 | 第62-66页 |
| ·InAs/GaSb/AlSb 量子级联激光器结构 | 第66-69页 |
| 参考文献 | 第69-79页 |
| 第四章 p 型ZnO 薄膜的输运性质研究 | 第79-116页 |
| ·N-In 共掺杂p 型ZnO 薄膜的变温霍耳效应 | 第80-88页 |
| ·载流子浓度行为 | 第81-83页 |
| ·迁移率行为 | 第83-85页 |
| ·电导率行为 | 第85-88页 |
| ·利用拉曼光谱技术研究共掺杂p 型ZnO 薄膜的输运性质 | 第88-94页 |
| ·室温拉曼光谱性质 | 第88-92页 |
| ·光学载流子浓度和迁移率 | 第92-94页 |
| ·不同掺杂p 型ZnO 薄膜的变磁场霍耳效应 | 第94-102页 |
| ·N-In 共掺杂p 型ZnO 薄膜 | 第94-99页 |
| ·N 掺杂p 型ZnO 薄膜 | 第99-102页 |
| ·利用光致发光技术研究不同掺杂p 型ZnO 薄膜的掺杂机制 | 第102-109页 |
| ·本章小结 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-116页 |
| 第五章 新型半导体红外器件的输运性质研究 | 第116-135页 |
| ·GaAs 远红外反射镜结构的输运性质 | 第116-120页 |
| ·利用变磁场霍耳效应测量表征结构质量 | 第116-117页 |
| ·利用SdH 测量研究低温散射机制 | 第117-120页 |
| ·InAsSb 量子点中红外发光二极管结构的输运性质 | 第120-126页 |
| ·提取多种载流子输运信息 | 第120-123页 |
| ·计算有效质量和量子散射时间 | 第123-126页 |
| ·InAs/GaSb/AlSb 量子级联激光器结构的输运性质 | 第126-132页 |
| ·分析不同电子的温度行为 | 第126-129页 |
| ·GaSb 电子的SdH 振荡分析 | 第129-132页 |
| ·本章小结 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-135页 |
| 第六章 总结 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
| 完成论文目录 | 第138-140页 |
