首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--化合物半导体论文

3d过渡金属基Ⅱ-Ⅵ族半导体缺陷特性的理论研究

摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第一章 绪论第11-32页
   ·引言第11-12页
   ·缺陷与掺杂第12-15页
   ·II-VI 族半导体研究现状第15-32页
     ·传统 II-VI 族半导体研究现状第15-22页
     ·过渡金属基 II-VI 族半导体研究现状第22-32页
第二章 密度泛函理论基础第32-51页
   ·引言第32-33页
   ·绝热近似和 Hartree-Fock 近似第33-36页
     ·绝热近似第33-34页
     ·Hartree-Fock 近似第34-36页
   ·密度泛函理论简介第36-44页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第36-39页
     ·Kohn-Sham 方程第39-40页
     ·交换关联能泛函第40-44页
   ·赝势方法以及 PAW 方法第44-48页
   ·电子波函数的基函数展开第48-49页
   ·结构优化第49-51页
     ·Hellmann-Feynman 力第49-50页
     ·最陡下降法第50页
     ·共扼梯度法第50-51页
第三章 MnTe 中过渡金属杂质的结构与磁耦合特性第51-65页
   ·研究背景第51-52页
   ·计算方法第52-53页
   ·结果与讨论第53-64页
     ·闪锌矿结构 MnTe 中磁性杂质分布的稳定性第53-56页
     ·电子结构第56页
     ·团簇化趋势第56-61页
     ·磁性耦合第61-64页
   ·本章小结第64-65页
第四章 纤锌矿结构 CoO 和 MnO 的本征缺陷相关特性第65-75页
   ·研究背景第65-66页
   ·计算方法和细节第66-68页
   ·结果和分析第68-74页
     ·CoO第68-69页
     ·MnO第69-71页
     ·MnO体系的结构和电子性质第71-74页
   ·本章小结第74-75页
第五章 目前的工作与展望第75-78页
全文结论第78-80页
参考文献第80-95页
攻读博士学位期间取得的研究成果第95-96页
致谢第96-97页
附件第97页

论文共97页,点击 下载论文
上一篇:马克思主义妇女观与中央苏区妇女运动--兼论客家妇女地位变迁
下一篇:高维问题中的小样本学习