氮化硼的半导体特性和紫外光电探测器的基础研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-27页 |
| ·氮化硼的结构 | 第13-14页 |
| ·氮化硼性质及应用 | 第14-23页 |
| ·hBN 的性质及应用 | 第15-18页 |
| ·cBN 的性质及应用 | 第18-23页 |
| ·论文主要研究意义及内容 | 第23-27页 |
| 第2章 cBN 半导体特性 | 第27-49页 |
| ·cBN 的表面极性 | 第27-33页 |
| ·cBN 单晶显微镜观察 | 第27-29页 |
| ·cBN 单晶的湿法刻蚀 | 第29-30页 |
| ·XPS 谱分析 | 第30-31页 |
| ·Raman 光谱 | 第31-32页 |
| ·cBN 的 I-V 特性分析 | 第32-33页 |
| ·cBN 的掺杂 | 第33-41页 |
| ·热扩散掺杂过程 | 第33-34页 |
| ·热扩散掺杂 cBN 样品的 XPS 谱分析 | 第34-40页 |
| ·杂质激活能测量 | 第40-41页 |
| ·cBN 的金半接触特性 | 第41-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第3章 BN 薄膜的制备及电学性质的研究 | 第49-77页 |
| ·氮化硼薄膜合成工艺 | 第49-52页 |
| ·物理方法（PVD） | 第49-51页 |
| ·化学气相沉积技术（CVD） | 第51-52页 |
| ·射频磁控溅射方法制备氮化硼薄膜 | 第52-58页 |
| ·射频磁控溅射原理及其制备 BN 薄膜的发展现状 | 第53-55页 |
| ·BN 薄膜表征方法 | 第55-57页 |
| ·实验设备 | 第57-58页 |
| ·实验过程 | 第58-74页 |
| ·BN 薄膜的制备与表征 | 第59-63页 |
| ·FeBNO 薄膜的表征 | 第63-73页 |
| ·FeBNO 薄膜带隙宽度与电学性质 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-77页 |
| 第4章 MSM 型紫外光电探测器概述 | 第77-97页 |
| ·紫外光电探测器的研究进展 | 第77-82页 |
| ·紫外探测器研究进展 | 第77-78页 |
| ·紫外探测器的分类 | 第78-81页 |
| ·MSM 紫外探测器研究进展 | 第81-82页 |
| ·MSM 光伏型探器 | 第82-91页 |
| ·肖特基接触 | 第82-83页 |
| ·肖特基势垒的电流输运 | 第83-85页 |
| ·MSM 型光电探测器的工作原理 | 第85-88页 |
| ·MSM 光电探测器的暗电流特性 | 第88-89页 |
| ·MSM 光伏型探测器的光电流特性 | 第89-91页 |
| ·MSM 紫外光电探测器的主要参量及物理意义 | 第91-93页 |
| ·量子效率 i和 | 第91页 |
| ·光电响应度 R | 第91-92页 |
| ·光谱响应特性 | 第92页 |
| ·暗电流 I_d | 第92页 |
| ·响应时间τ | 第92-93页 |
| ·MSM 型光电探测器的等效电路模型 | 第93-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 第5章 cBN 基 MSM 光伏型探测器研究 | 第97-113页 |
| ·TCAD 软件的简介 | 第97-98页 |
| ·TCAD 的发展 | 第97页 |
| ·Silvaco TCAD 软件简介 | 第97-98页 |
| ·cBN MSM 光电探测器的建模 | 第98-103页 |
| ·cBN 材料参数库的建立 | 第99-100页 |
| ·器件结构 | 第100页 |
| ·物理模型 | 第100-103页 |
| ·模拟结果分析 | 第103-109页 |
| ·cBN MSM 原型器件的紫外光电响应的测试 | 第109-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 第6章 总结 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-131页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第131-132页 |
| 致谢 | 第132页 |
