| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-26页 |
| ·GaN 材料的基本性质和应用背景 | 第8-15页 |
| ·GaN 材料的基本性质 | 第8-11页 |
| ·GaN 材料的应用背景 | 第11-15页 |
| ·GaN 基材料器件的研究现状和研究热点 | 第15-22页 |
| ·GaN 基材料电子器件的历史和研究现状 | 第15-17页 |
| ·GaN 基材料器件研究热点 | 第17-22页 |
| ·GaN 基器件肖特基接触材料、结构的研究现状和研究热点 | 第22-24页 |
| ·本文的主要工作 | 第24-26页 |
| 第二章 金属半导体肖特基接触的基本理论 | 第26-32页 |
| ·肖特基接触的原理 | 第26-27页 |
| ·肖特基接触反向漏电和正向输运机理 | 第27-32页 |
| ·肖特基接触反向漏电的机制 | 第27-29页 |
| ·肖特基接触正向输运机制 | 第29-32页 |
| 第三章 GaN 材料和肖特基二极管的制备和测试 | 第32-44页 |
| ·GaN 基材料的ＭＯＣＶＤ生长 | 第32-36页 |
| ·GaN、Al_xGa_(1-x)N/GaN 肖特基接触的制备 | 第36-39页 |
| ·金属制备（磁控溅射和电子束蒸发） | 第36-37页 |
| ·肖特基二极管的制备 | 第37-39页 |
| ·测试 | 第39-44页 |
| ·变温I-V 测量 | 第39页 |
| ·C-V 测量 | 第39-40页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第40-44页 |
| 第四章 插入Al 薄层对Ni/Au/GaN 肖特基接触热稳定性的影响 | 第44-53页 |
| ·研究肖特基接触热稳定性的意义 | 第44页 |
| ·肖特基二极管的制备 | 第44-45页 |
| ·实验结果和分析 | 第45-52页 |
| ·Ni/Au/GaN 肖特基接触的热稳定性 | 第45-48页 |
| ·Ni | 第48-51页 |
| ·实验结果的分析 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 Ni/Au与Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN 异质结构间插入Al薄层的肖特基接触的常温漏电和高温漏电机理 | 第53-67页 |
| ·A1_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN 肖特基二极管反向漏电研究的意义和进展 | 第53-55页 |
| ·样品的制作 | 第55-57页 |
| ·实验结果和分析 | 第57-66页 |
| ·Al 插入层对Ni | 第57-58页 |
| ·Al 插入层对Ni | 第58-61页 |
| ·实验结果的分析 | 第61-62页 |
| ·Ni/Au 肖特基接触的高温输运机制 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 A1_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN 异质结构上WNx肖特基接触热稳定性的研究 | 第67-79页 |
| ·W 和WNx材料性质和研究意义 | 第67-69页 |
| ·W 和WN x材料的制备 | 第69-71页 |
| ·WNx肖特基二极管的制备 | 第71-72页 |
| ·Al_(0.25)Ga_(0.75)/GaN 异质结构上 N2和 Ar 气比例不同时 WNx肖特基的热稳定性研究 | 第72-75页 |
| ·WNx/A1_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN 肖特基接触的高斯分布 | 第75-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第七章 全文总结 | 第79-82页 |
| 参考文献 | 第82-94页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95页 |
