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几种半导体材料电子结构及光催化性质的理论研究

目录第1-7页
Contents第7-10页
中文摘要第10-14页
Abstract第14-19页
符号说明第19-21页
第一章 绪论第21-35页
   ·引言第21页
   ·半导体光催化原理第21-23页
   ·相关光催化材料的研究进展及应用第23-28页
     ·SrTiO_3第23-24页
     ·钙钛矿结构材料第24-25页
     ·TiO_2第25-28页
       ·TiO_2晶体第25页
       ·TiO_2晶面第25-27页
       ·TiO_2纳米管第27-28页
   ·本论文的主要内容和结论第28-31页
 参考文献第31-35页
第二章 密度泛函理论第35-49页
   ·Born-Oppenheimer近似第35-36页
   ·Hartree-Fock近似第36-38页
   ·电子密度第38-39页
   ·密度泛函理论第39-41页
     ·Thomas-Fermi模型第39页
     ·Hohenberg-Kohn定理第39-40页
     ·Kohn-Sham方程第40-41页
   ·交换关联泛函第41-43页
     ·局域密度近似(LDA)第41-42页
     ·广义梯度近似(GGA)第42页
     ·轨道泛函LDA(GGA)+U第42-43页
     ·杂化密度泛函第43页
   ·基组和赝势方法第43-45页
     ·平面波基组第43-44页
     ·高斯基组第44-45页
     ·赝势方法第45页
   ·自旋限制与非限制计算第45-46页
   ·密度泛函理论的修正与扩展第46页
   ·本论文采用的密度泛函理论计算软件包第46-47页
 参考文献第47-49页
第三章 d~1金属性钙钛矿材料的光学跃迁和光催化性质第49-59页
   ·研究背景第49-50页
   ·计算方法第50-51页
   ·结果与讨论第51-56页
     ·电子结构和光吸收第51-55页
     ·光生电子和空穴的有效质量第55-56页
   ·小结第56页
 参考文献第56-59页
第四章 掺杂对SrTiO_3电子结构和光催化性质的影响第59-69页
   ·研究背景第59-60页
   ·计算方法和模型第60-61页
   ·结果与讨论第61-66页
     ·几何结构第61页
     ·缺陷形成能第61-62页
     ·电子结构第62-66页
       ·Ag掺杂STO(Sr位置)第63-64页
       ·Nb掺杂STO(Ti位置)第64-65页
       ·Ag/Nb共掺STO(Nb替位Ti,Ag替位Sr)第65-66页
   ·小结第66页
 参考文献第66-69页
第五章 Ag调控锐钛矿TiO_2表面的电子结构和光催化性质第69-81页
   ·研究背景第69-70页
   ·计算方法和模型第70页
   ·结果与讨论第70-78页
     ·Ag吸附TiO_2(001)面第71-74页
     ·Ag替位掺杂TiO_2(001)面第74-76页
     ·Ag间隙位掺杂TiO_2(001)面第76-77页
     ·热力学稳定性第77-78页
   ·小结第78页
 参考文献第78-81页
第六章 Au和N协同调节TiO_2纳米管的电子结构和光催化性质第81-99页
   ·研究背景第81-82页
   ·计算方法和模型第82-84页
   ·结果与讨论第84-94页
     ·N掺杂TiO_2纳米管第84-86页
     ·Au沉积的TiO_2纳米管第86-89页
     ·N/Au共同作用的TiO_2纳米管第89-94页
   ·小结第94页
 参考文献第94-99页
第七章 总结与展望第99-101页
   ·总结第99-100页
   ·展望第100-101页
致谢第101-103页
攻读学位期间发表的学术论文及参与的项目等第103-104页
 1. 论文目录第103-104页
 2. 参加国际会议第104页
 3. 参与科研项目第104页
附录第104-118页
 攻读博士学位期间所发表的英文论文(原文)第104-118页
学位论文评阅及答辩情况表第118页

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