| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·GaSb的基本特性 | 第8-9页 |
| ·热光伏(TPV)概念 | 第9-10页 |
| ·GaSb PN结光生伏特原理 | 第10-12页 |
| ·GaSb PN结的制备方法 | 第12-16页 |
| ·离子注入掺杂技术 | 第12-13页 |
| ·薄膜外延法 | 第13页 |
| ·热扩散法 | 第13-16页 |
| ·论文研究的内容及意义 | 第16-17页 |
| 第二章 Zn在GaSb中的扩散理论 | 第17-31页 |
| ·扩散概论 | 第17-18页 |
| ·扩散的驱动力 | 第18页 |
| ·扩散的微观机制 | 第18-22页 |
| ·晶体中的缺陷 | 第19-20页 |
| ·微观扩散机制类型 | 第20-22页 |
| ·Zn在GaSb中扩散机制 | 第22-28页 |
| ·Zn扩散曲线的选择 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 基于Zn扩散的GaSb PN结制备 | 第31-41页 |
| ·实验设计 | 第31-32页 |
| ·N-GaSb晶片的表面处理 | 第32-34页 |
| ·磁控溅射镀Zn膜 | 第34-38页 |
| ·磁控溅射镀膜原理 | 第34-36页 |
| ·Zn膜厚度的SEM表征 | 第36-38页 |
| ·热扩散制备GaSb PN结 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于Zn扩散的GaSb PN结电学性质研究 | 第41-48页 |
| ·基于Zn扩散的P型GaSb薄膜载流子浓度测试 | 第41-45页 |
| ·ECV的测试原理 | 第41-44页 |
| ·基于Zn扩散的P型GaSb薄膜的ECV测试 | 第44-45页 |
| ·基于Zn扩散的P型GaSb薄膜的I-V特性研究 | 第45-47页 |
| ·理想PN电流电压模型 | 第45-46页 |
| ·基于Zn扩散的P型GaSb薄膜I-V特性曲线研究 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |