| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·半导体输运研究背景及意义 | 第10-13页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体输运研究现状 | 第13-15页 |
| ·本文的主要研究工作与内容安排 | 第15-18页 |
| 第二章 蒙特卡洛输运模拟原理 | 第18-32页 |
| ·输运方法概述 | 第18-20页 |
| ·漂移扩散模型 | 第19页 |
| ·流体动力学方法 | 第19-20页 |
| ·蒙特卡洛方法 | 第20页 |
| ·蒙特卡洛方法输运原理 | 第20-28页 |
| ·蒙特卡洛方法简介 | 第20-21页 |
| ·蒙特卡洛用于输运模拟的原理 | 第21-26页 |
| ·散射机制 | 第26-28页 |
| ·蒙特卡洛平台开发 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体瞬态输运研究 | 第32-54页 |
| ·瞬态研究的必要性 | 第32-37页 |
| ·速度上冲和电子弛豫过程研究 | 第37-49页 |
| ·蒙特卡洛仿真实现 | 第37-40页 |
| ·仿真结果 | 第40-48页 |
| ·GaN 速度上冲研究 | 第48-49页 |
| ·速度下冲研究 | 第49-53页 |
| ·InN 速度下冲物理机制研究 | 第49-52页 |
| ·GaN 中的速度下冲现象 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 Ⅲ-Ⅴ族氮化物动量和能量弛豫时间模型研究 | 第54-76页 |
| ·研究能量弛豫时间模型的必要性 | 第54-57页 |
| ·能量和动量弛豫时间计算方法 | 第57-58页 |
| ·纤锌矿 GaN，InN 和 AlN 动量弛豫时间和能量弛豫时间机制研究 | 第58-75页 |
| ·蒙特卡洛仿真参数设置 | 第58-59页 |
| ·纤锌矿 GaN，InN 和 AlN 动量弛豫和能量弛豫过程研究 | 第59-72页 |
| ·GaN 动量和能量弛豫时间和浓度的关系 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体稳态输运研究 | 第76-106页 |
| ·稳态输运研究的必要性 | 第76-81页 |
| ·扩散系数研究 | 第81-95页 |
| ·纤锌矿 GaN 扩散系数研究 | 第81-90页 |
| ·纤锌矿 InN 扩散系数 | 第90-95页 |
| ·低场迁移率研究 | 第95-101页 |
| ·高场输运研究 | 第101-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 第六章 基于蒙特卡洛的耿氏二极管太赫兹源输运研究 | 第106-124页 |
| ·基于耿氏二极管的太赫兹研究 | 第106-109页 |
| ·蒙特卡洛方法和泊松方程耦合输运研究[6.27-6.30] | 第109-113页 |
| ·超粒子电荷 | 第110-111页 |
| ·泊松方程求解 | 第111-112页 |
| ·耦合算法和数据收集 | 第112-113页 |
| ·均匀掺杂耿氏二极管仿真结果 | 第113-123页 |
| ·直流仿真 | 第114-120页 |
| ·交流仿真 | 第120-123页 |
| ·本章小结 | 第123-124页 |
| 第七章 结束语 | 第124-126页 |
| ·论文工作总结及主要创新点 | 第124-125页 |
| ·未来工作展望 | 第125-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 参考文献 | 第128-146页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第146-148页 |
