| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-30页 |
| ·极紫外光刻技术 | 第12-19页 |
| ·Mo/Si多层膜光学元件的表面污染 | 第19-28页 |
| ·研究背景及意义 | 第28页 |
| ·小结 | 第28-30页 |
| 第2章 极紫外多层膜基本理论 | 第30-40页 |
| ·极紫外多层膜反射率计算基础 | 第30-36页 |
| ·Mo/Si多层膜的结构和沉积工艺 | 第36-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第3章 EUV多层膜表面碳污染模型建立 | 第40-66页 |
| ·光学元件表面的碳沉积 | 第40-45页 |
| ·光学表面碳沉积模型的建立 | 第45-51页 |
| ·碳沉积主要影响因素的分析 | 第51-56页 |
| ·模型重要参数取值的分析 | 第56-62页 |
| ·光学表面碳污染的抑制和清洗技术 | 第62-64页 |
| ·小结 | 第64-66页 |
| 第4章 EUV多层膜表面氧化模型建立 | 第66-88页 |
| ·水分子在Ru表面的反应 | 第66-69页 |
| ·光学表面氧化模型的建立 | 第69-80页 |
| ·氧化主要影响因素的分析 | 第80-87页 |
| ·小结 | 第87-88页 |
| 第5章 Mo/Si多层膜表面保护层的选择和优化设计 | 第88-108页 |
| ·多层膜帽层的选择 | 第88-98页 |
| ·多层膜帽层的优化设计和表面电场分析 | 第98-106页 |
| ·小结 | 第106-108页 |
| 第6章 总结与展望 | 第108-112页 |
| ·结论 | 第108-109页 |
| ·主要创新点 | 第109-110页 |
| ·研究展望 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-124页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第124-125页 |
| 指导教师及作者简介 | 第125-126页 |
| 致谢 | 第126页 |