| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-17页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第10-14页 |
| ·光学性质 | 第12-13页 |
| ·电学性质 | 第13-14页 |
| ·压电性质 | 第14页 |
| ·气敏性质 | 第14页 |
| ·ZnO 的研究进展 | 第14-15页 |
| ·ZnO 的应用领域 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要内容及其意义 | 第16-17页 |
| 第2章 基于密度泛函理论的第一性原理方法简介 | 第17-22页 |
| ·布洛赫定理 | 第17页 |
| ·绝热近似 | 第17-18页 |
| ·单电子近似 | 第18页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-19页 |
| ·局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA) | 第19-20页 |
| ·LDA 近似 | 第19-20页 |
| ·GGA 近似 | 第20页 |
| ·计算软件简介 | 第20-22页 |
| 第3章 In、Ga 掺杂 ZnO 的第一性原理研究 | 第22-30页 |
| ·模型构建和计算方法 | 第22-23页 |
| ·计算结果与讨论 | 第23-27页 |
| ·能带结构 | 第23-24页 |
| ·态密度 | 第24-25页 |
| ·光学性质 | 第25-27页 |
| ·RF 磁控溅射制备 IGZO 导电薄膜 | 第27-29页 |
| ·结论 | 第29-30页 |
| 第4章 In、Ta 掺杂 ZnO 的第一性原理研究 | 第30-37页 |
| ·模型构建和计算方法 | 第30-31页 |
| ·计算结果与讨论 | 第31-36页 |
| ·几何优化结果 | 第31页 |
| ·能带结构和态密度 | 第31-34页 |
| ·光学性质 | 第34-36页 |
| ·结论 | 第36-37页 |
| 第5章 Al、H 掺杂 ZnO 的第一性原理研究 | 第37-45页 |
| ·模型构建和计算方法 | 第37-38页 |
| ·计算结果与讨论 | 第38-44页 |
| ·几何优化 | 第38-39页 |
| ·能带结构 | 第39-40页 |
| ·态密度 | 第40-43页 |
| ·光学性质 | 第43-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| 结束语 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第53页 |