当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
多晶硅源漏SiC N-MOSFET关键技术研究
4H-SiC npn双极晶体管特性研究
Si基应变材料能带结构研究
Ⅲ-Ⅴ族量子阱的共振隧穿及Ⅰ-Ⅴ特性理论研究
静压对Ⅲ-Ⅴ族量子阱共振隧穿的影响
砷化镓基半导体材料抗辐照噪声表征参量研究
半绝缘SiC单晶电学参数的测量技术研究
纳米硫化锌复合半导体的制备及其性能研究
MOSFET噪声与热载流子效应研究
6H-SiC单晶电参数的红外光谱研究
晶闸管触发控制和多路实时检测系统的研究
射频LDMOS器件结构和ESD保护研究
白光有机电致发光显示器件的研制
GaAs光电导开关产生太赫兹电磁波的实验及理论分析
PVT法生长SiC晶体的热系统分析
门极换流晶闸管（GCT）关键技术的研究
纳米多孔SiO2薄膜在微波功率器件中的应用探索
GaN基Ni/Au肖特基接触特性研究
新型功率LED驱动电路
AlGaN/GaN FP-HEMTs的制造与研究
超深亚微米NMOSFET中的热载流子效应
SoC热载流子退化的嵌入式测试技术研究及IP开发
超薄栅氧化层的TDDB特性与寿命评估
深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应研究
GaN基欧姆接触及AlGaN/GaN HEMT器件研究
超深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究
等离子体工艺对MOS器件的损伤研究
90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究
AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的实验研究
大直径数控立式滚磨机电气设计与实现
化合物半导体Cd1-xZnxTe中的In掺杂及其与Au的接触特性
稀磁半导体Hg1-xMnxTe的晶体生长及性能表征
CdZnTe单晶表面、界面及位错的研究
冲击电压下半导体材料表面闪络现象与机理的研究
特种SOI材料及相关技术研究
Cd1-xMnxTe的晶体生长、性能表征及In掺杂研究
采用液相化学法沉积ZnS缓冲层的研究
白光LED驱动电路中电流调节电路设计
横向多栅极SOI MOS的研究及电路应用
深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究
TDL-150型单晶炉炉体设计及炉内温场和氩气流场的数值模拟
硅基CeO2薄膜电致发光器件的制备与研究
溶胶—凝胶法制备ZnO薄膜工艺优化及其压敏特性研究
大尺寸Cd1-xZnxTe晶体籽晶垂直布里奇曼法生长技术与性能表征
磁控溅射制备透明导电氧化物薄膜一些研究
Ce1Y2Fe5O12和HfxZn1-xO薄膜的制备及性能研究
机械合金化制备氧化锌稀磁半导体材料
半导体氧化物纳米结构的合成、光学及场发射性能研究
基于Ⅲ-Ⅴ稀磁半导体铁磁性能的数值计算
多孔硅的湿度传感特性研究
上一页
[146]
[147]
[148]
[149]
[150]
下一页
