| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·碳化硅材料的基本性质及其优点 | 第8-9页 |
| ·碳化硅MOSFET的进展及存在的问题 | 第9-10页 |
| ·异质结源漏SiC MOSFET的研究意义 | 第10-12页 |
| ·多晶硅源漏SiC N-MOSFET的结构和电流输运机制 | 第12-14页 |
| ·本文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 多晶硅/SiC异质结的研究 | 第15-28页 |
| ·P~+多晶硅/P-4H-SiC异质结特性 | 第15-23页 |
| ·器件结构 | 第15-16页 |
| ·多晶硅迁移率模型 | 第16页 |
| ·SiC模型和主要参数 | 第16-21页 |
| ·I-V特性的模拟 | 第21-23页 |
| ·n~+多晶硅/N~+SiC异质结形成欧姆接触 | 第23-26页 |
| ·n~+多晶硅/N~+SiC异质结 | 第23-24页 |
| ·使用n~+多晶硅形成n型SiC欧姆接触的测试 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 界面态以及固定电荷对器件特性的影响 | 第28-35页 |
| ·多晶硅源漏SiC N-MOSFET的伏安特性 | 第28-29页 |
| ·SiO_2/SiC界面态对器件特性的影响 | 第29-32页 |
| ·SiO_2中固定电荷对器件的影响 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 工艺中的问题及改进设想 | 第35-42页 |
| ·过刻导致器件结构和特性的变化 | 第35-37页 |
| ·通过氧化淀积的多晶硅形成绝缘层 | 第37-38页 |
| ·氮化SiO_2提高器件性能 | 第38-40页 |
| ·SiON的性质和制备方法 | 第38-39页 |
| ·氮化SiO_2对器件特性的影响 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第五章 关键工艺 | 第42-45页 |
| ·多晶硅源漏SiC N-MOSFET关键工艺 | 第42-44页 |
| ·多晶硅/SiC异质结欧姆接触关键工艺 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第六章 主要结论 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 硕士期间参加课题和论文发表情况 | 第53页 |