| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-27页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的性质 | 第10-19页 |
| ·Cd_(1-x)Mn_xTe的晶体结构和能带结构 | 第10-12页 |
| ·CdTe-MnTe伪二元相图 | 第12-13页 |
| ·Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的光学性质 | 第13-15页 |
| ·Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的电学性质 | 第15-16页 |
| ·Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的磁学和磁光性能 | 第16-18页 |
| ·Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的缺陷 | 第18-19页 |
| ·Cd_(1-x)Mn_xTe晶体的生长方法 | 第19-23页 |
| ·液封提拉法 | 第19-20页 |
| ·布里奇曼法 | 第20-21页 |
| ·移动加热法 | 第21-22页 |
| ·Te溶液生长Cd_(1-x)Mn_xTe | 第22-23页 |
| ·本文研究内容 | 第23-24页 |
| 本章参考文献 | 第24-27页 |
| 第二章 Cd_(1-x)Mn_xTe的晶体生长工艺 | 第27-41页 |
| ·坩埚的设计与处理 | 第28-30页 |
| ·坩埚的性质 | 第28页 |
| ·坩埚的设计 | 第28-29页 |
| ·坩埚清洗 | 第29-30页 |
| ·碳膜的制备 | 第30-31页 |
| ·配料与封管 | 第31-32页 |
| ·摇炉合料 | 第32-33页 |
| ·晶体生长 | 第33-37页 |
| ·温度场的设计原则 | 第34-35页 |
| ·Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体生长控温程序的设定 | 第35-36页 |
| ·晶体生长的温度梯度、生长速度与过热度 | 第36-37页 |
| ·晶体处理和加工 | 第37-38页 |
| 本章小结 | 第38-39页 |
| 本章参考文献 | 第39-41页 |
| 第三章 Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体的质量评定和性能测试 | 第41-57页 |
| ·晶体的宏观质量分析及切片 | 第41-43页 |
| ·晶体中Mn的成分分布 | 第43-44页 |
| ·晶体结构测试 | 第44-46页 |
| ·晶体的结晶质量 | 第46-47页 |
| ·晶体的缺陷分析 | 第47-51页 |
| ·位错 | 第47-48页 |
| ·Te夹杂相 | 第48-50页 |
| ·孪晶 | 第50-51页 |
| ·晶体的红外透过率 | 第51-52页 |
| ·晶体的I-V特性 | 第52-54页 |
| 本章小结 | 第54-55页 |
| 本章参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 Cd_(1-x)Mn_xTe的晶体In掺杂 | 第57-65页 |
| ·掺In Cd_(1-x)Mn_xTe的晶体生长 | 第57-58页 |
| ·Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te:In晶体的结构表征 | 第58-59页 |
| ·In在Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te中的分布 | 第59-60页 |
| ·掺In晶体的电阻率 | 第60-61页 |
| ·掺In Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te晶体的红外透过率 | 第61-63页 |
| 本章小结 | 第63页 |
| 本章参考文献: | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
