| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第9-10页 |
| ·国内外现状 | 第10-13页 |
| ·课题主要研究内容 | 第13-15页 |
| 2. 半导体知识及理论框架 | 第15-45页 |
| ·量子阱和超晶格的基本概念及特点 | 第15-19页 |
| ·超晶格和量子阱材料的特点 | 第16-18页 |
| ·超晶格材料和量子阱材料的区别 | 第18-19页 |
| ·半导体异质结及其能带结构 | 第19-29页 |
| ·半导体异质结的概念 | 第19-20页 |
| ·半导体异质结的能带图 | 第20-29页 |
| ·异质结系统中的能态特性及共振隧穿效应 | 第29-33页 |
| ·异质结系统中的能态特性 | 第29-30页 |
| ·双势垒异质结(DBHS)中的共振隧穿 | 第30-33页 |
| ·费米能级的计算 | 第33-37页 |
| ·自由电子系统中的费米能级E_F | 第33-35页 |
| ·自由电子能带模型的费米能级E'_F | 第35-36页 |
| ·半导体能带中的费米能级 | 第36-37页 |
| ·透射系数和(I-V) 曲线公式的理论推导 | 第37-45页 |
| ·透射系数的计算 | 第37-40页 |
| ·隧穿电流的计算 | 第40-41页 |
| ·有效质量和势垒参数对透射系数的影响 | 第41-45页 |
| 3. 介观压阻效应及流体静压力下各个参数的影响分析 | 第45-61页 |
| ·介观压阻效应理论 | 第45页 |
| ·物理参数的压力（应变）依赖关系 | 第45-55页 |
| ·晶格常数和体积 | 第45-48页 |
| ·带阶和禁带宽度 | 第48-50页 |
| ·有效质量 | 第50-53页 |
| ·介电常数 | 第53-55页 |
| ·流体静压力对势垒参数的影响分析 | 第55-59页 |
| ·流体静压力对势垒高度的影响 | 第55-58页 |
| ·流体静压力对势垒宽度的影响 | 第58-59页 |
| ·流体静压力对费米能级的影响 | 第59-61页 |
| 4. 流体静压力下Ⅲ-Ⅴ族量子体系的研究 | 第61-85页 |
| ·Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱体系研究 | 第61-76页 |
| ·Al_xGa_(1-x)As/GaAs 结构设计 | 第61-62页 |
| ·材料参数 | 第62页 |
| ·Al_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs 的研究结果 | 第62-69页 |
| ·AlAs/GaAs 量子阱体系研究 | 第69-76页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/GaN 量子体系研究 | 第76-85页 |
| ·结构设计 | 第76-77页 |
| ·材料参数 | 第77-78页 |
| ·Al_(0.5)Ga_(0.5)N/GaN 量子阱体系研究结果 | 第78-85页 |
| 结束语 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-93页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
