深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·辐射环境和辐射效应 | 第8-10页 |
| ·辐射环境 | 第8-9页 |
| ·基本电离辐射效应 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·本课题研究意义 | 第12-14页 |
| 第二章 总剂量辐射效应的基本理论 | 第14-34页 |
| ·辐射粒子与物质的相互作用 | 第14-17页 |
| ·光子 | 第14-16页 |
| ·光电效应 | 第14-15页 |
| ·康普顿散射效应 | 第15页 |
| ·电子对产生效应 | 第15-16页 |
| ·带电粒子 | 第16-17页 |
| ·电子 | 第16页 |
| ·质子 | 第16页 |
| ·α粒子 | 第16-17页 |
| ·离子 | 第17页 |
| ·中子 | 第17页 |
| ·散射过程 | 第17页 |
| ·嬗变过程 | 第17页 |
| ·MOS结构的性质 | 第17-18页 |
| ·辐射感生电荷的形成与性质 | 第18-27页 |
| ·氧化物陷阱电荷 | 第18-24页 |
| ·界面态电荷 | 第24-27页 |
| ·氧化物陷阱与界面陷阱的相关性 | 第27页 |
| ·氧化物陷阱电荷与界面态电荷分离方法 | 第27-32页 |
| ·中带电压法 | 第28-29页 |
| ·电荷泵法(Charge·Pumping) | 第29-31页 |
| ·双晶体管法 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 静态辐射偏置条件对总剂量效应的影响 | 第34-42页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·各种辐射偏置条件 | 第34-35页 |
| ·仿真模型及器件结构 | 第35-37页 |
| ·仿真结果 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 深亚微米器件的总剂量电离辐射效应研究 | 第42-54页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·样品与实验条件 | 第42-43页 |
| ·实验仪器介绍 | 第43-44页 |
| ·实验结果及分析 | 第44-49页 |
| ·相关机理研究与分析 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 结束语 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第62页 |
| 硕士期间参加的主要研究工作 | 第62-63页 |
