砷化镓基半导体材料抗辐照噪声表征参量研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·国内外研究动态 | 第9-11页 |
| ·论文结构 | 第11-12页 |
| 第二章 砷化镓材料辐照效应及低频噪声技术 | 第12-22页 |
| ·砷化镓材料辐照效应 | 第12-16页 |
| ·材料特性 | 第12-13页 |
| ·辐照损伤 | 第13-16页 |
| ·低频电噪声 | 第16-18页 |
| ·低频噪声基本知识 | 第16-18页 |
| ·低频噪声诊断半导体器件可靠性 | 第18页 |
| ·PHEMT结构及其工作原理 | 第18-22页 |
| ·器件结构 | 第19-20页 |
| ·工作原理 | 第20-22页 |
| 第三章 砷化镓材料辐照损伤表征参量 | 第22-38页 |
| ·辐照导致材料电参量退化机理 | 第22-24页 |
| ·辐照对迁移率的影响 | 第22-23页 |
| ·辐照对电子密度的影响 | 第23-24页 |
| ·电学参量辐照退化的理论分析 | 第24-26页 |
| ·漏电流退化规律 | 第24页 |
| ·跨导退化规律 | 第24-25页 |
| ·阈值电压退化规律 | 第25-26页 |
| ·电学参数辐照损伤表征模型 | 第26-29页 |
| ·噪声参量表征基础 | 第29-31页 |
| ·低频噪声的组成及来源 | 第29-31页 |
| ·辐照损伤对低频噪声的作用 | 第31页 |
| ·低频噪声辐照损伤表征模型 | 第31-37页 |
| ·噪声表征模型的建立 | 第31-35页 |
| ·噪声参量对辐照损伤的表征分析 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 表征参量实验验证 | 第38-50页 |
| ·实验样品的选择及辐照条件 | 第38页 |
| ·测试系统 | 第38-40页 |
| ·电学参数测试系统 | 第38-39页 |
| ·低频噪声测试系统 | 第39-40页 |
| ·伽玛辐照实验结果 | 第40-43页 |
| ·辐照前后电参数的变化 | 第40-42页 |
| ·辐照前后低频噪声的变化 | 第42-43页 |
| ·理论模型验证及讨论 | 第43-48页 |
| ·电学表征参量验证及讨论 | 第43-45页 |
| ·噪声表征参量验证及讨论 | 第45-48页 |
| ·表征参量的分析及评价 | 第48-50页 |
| ·噪声表征参量与电学表征参量的相关性 | 第48页 |
| ·噪声表征参量与电学表征参量对比 | 第48-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-52页 |
| ·论文结论 | 第50页 |
| ·展望 | 第50-52页 |
| ·本研究工作的展望 | 第50-51页 |
| ·噪声表征化合物半导体辐照损伤的可行性 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 作者在读研期间的成果 | 第60页 |
