| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·GAN 材料简介 | 第11-12页 |
| ·GAN 器件发展历程以及本文的研究意义 | 第12-15页 |
| ·FP-HEMTS 国际国内研究现状 | 第15-20页 |
| ·本文的主要工作与安排 | 第20-21页 |
| 第二章 场板对器件的影响 | 第21-29页 |
| ·场板提高击穿电压机理 | 第21-22页 |
| ·GAN 基FP-HEMT 器件的基本模型和器件特性 | 第22-27页 |
| ·ATLAS(Silvaco)软件 | 第22-23页 |
| ·GaN 基HEMT 仿真的基本问题 | 第23页 |
| ·FP-HEMT 的基本模型 | 第23-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 GAN HEMTS 击穿的研究与击穿电压的测量方法 | 第29-39页 |
| ·HEMT 器件发生击穿的区域的研究 | 第29-33页 |
| ·击穿电压的测量 | 第33-35页 |
| ·常规击穿电压测量的方法以及其局限性 | 第33页 |
| ·漏极电流注入技术（DCIT） | 第33-35页 |
| ·击穿电压的WALKOUT 现象 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-39页 |
| 第四章 ALGAN/GAN FP-HEMTS 的制造与研究 | 第39-51页 |
| ·ALGAN /GAN FP-HEMTS 的制造 | 第39-43页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 制造的基本工艺流程 | 第39-41页 |
| ·AlGaN/GaN FP-HEMTs 的制造 | 第41-43页 |
| ·ALGAN/GAN FP-HEMTS 的研究 | 第43-49页 |
| ·AlGaN/GaN FP-HEMTs 直流特性的研究 | 第43-44页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 中击穿电压与电流崩塌的矛盾 | 第44-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 结束语 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第61-62页 |
