| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 论文的主要创新与贡献 | 第9-12页 |
| 第一章 文献综述 | 第12-33页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·CdZnTe的物理性质和应用 | 第13页 |
| ·CdZnTe的电学性质 | 第13页 |
| ·CdZnTe的应用 | 第13页 |
| ·CdZnTe表面的研究 | 第13-25页 |
| ·表面成分以及研究方法 | 第14-16页 |
| ·表面原子结构及研究方法 | 第16-21页 |
| ·表面电子结构的研究 | 第21-23页 |
| ·功函数的研究 | 第23-25页 |
| ·Au/CdZnTe的界面研究 | 第25-30页 |
| ·Schottky接触机理 | 第25-26页 |
| ·Schottky势垒高度的测量 | 第26页 |
| ·欧姆接触 | 第26-27页 |
| ·接触电阻的测量 | 第27-28页 |
| ·界面电荷传输机理 | 第28-30页 |
| ·CdZnTe的缺陷研究 | 第30-32页 |
| ·本文的主要研究内容和思路 | 第32-33页 |
| 第二章 CdZnTe单晶表面处理与质量表征 | 第33-49页 |
| ·表面处理 | 第33-38页 |
| ·表面的机械抛光 | 第33-35页 |
| ·化学腐蚀和抛光 | 第35-36页 |
| ·表面极性的鉴别 | 第36-38页 |
| ·表面特性的研究 | 第38-48页 |
| ·表面损伤层的测定 | 第38-39页 |
| ·表面成分偏析研究 | 第39-42页 |
| ·表面漏电流研究 | 第42-44页 |
| ·表面处理对晶体红外透过率的影响 | 第44-47页 |
| ·表面处理对光致发光特性的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第三章 CdZnTe表面原子结构、电子结构与功函数 | 第49-65页 |
| ·CdZnTe表面原子结构 | 第49-57页 |
| ·CdZnTe(110)面原子结构 | 第49-52页 |
| ·CdZnTe(111) A面原子结构 | 第52-54页 |
| ·CdZnTe(111) B面原子结构 | 第54-57页 |
| ·表面电子结构 | 第57-61页 |
| ·CdZnTe(110)面的电子结构 | 第57-58页 |
| ·CdZnTe(111) A面电子结构 | 第58-60页 |
| ·CdZnTe(111) B面电子结构 | 第60-61页 |
| ·CdZnTe的功函数 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 金属与CdZnTe的界面反应以及肖特基势垒 | 第65-77页 |
| ·Au/CdZnTe肖特基接触的制备以及势垒高度的测量 | 第65-68页 |
| ·界面反应对肖特基势垒的影响 | 第68-73页 |
| ·Au与CdZnTe的界面反应 | 第68-71页 |
| ·Ag与CdZnTe的界面反应 | 第71-73页 |
| ·表面原子结构对肖特基势垒的影响 | 第73-76页 |
| ·表面重构对肖特基势垒的影响 | 第73-74页 |
| ·退火对肖特基势垒的影响 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 Au与CdZnTe欧姆电极的制备与分析 | 第77-90页 |
| ·欧姆电极的制备 | 第77-79页 |
| ·接触电阻的测量 | 第79-82页 |
| ·AuCl_3/CdZnTe欧姆接触的界面分析 | 第82-87页 |
| ·欧姆接触的机理分析 | 第87-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第六章 CdZnTe晶体中位错的研究 | 第90-103页 |
| ·CdZnTe位错蚀坑的形貌 | 第90-92页 |
| ·CdZnTe晶体中位错的引入 | 第92-93页 |
| ·位错对晶体红外透过性能的影响 | 第93-97页 |
| ·位错对晶体漏电流的影响 | 第97-99页 |
| ·位错对晶体载流子特性的影响 | 第99-100页 |
| ·位错引入的缺陷能级研究 | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 主要结论 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-113页 |
| 攻读博士学位期间撰写和发表的论文 | 第113-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
