深亚微米全耗尽SOI MOSFET参数提取方法的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| ·SOI结构及特点 | 第9-10页 |
| ·SOI器件的应用及发展近况 | 第10-11页 |
| ·模型参数提取的意义 | 第11-12页 |
| ·本文的研究的主要内容及安排 | 第12-14页 |
| 2 器件结构与器件模型 | 第14-32页 |
| ·模拟方法及软件介绍 | 第14-16页 |
| ·模拟方法 | 第14-15页 |
| ·模拟软件 | 第15-16页 |
| ·结构模型的建立 | 第16-21页 |
| ·基本结构的建立 | 第16-18页 |
| ·结构参数的选取 | 第18-21页 |
| ·物理模型选取 | 第21-24页 |
| ·能量输运模型 | 第21-23页 |
| ·迁移率模型 | 第23页 |
| ·载流子复合模型 | 第23-24页 |
| ·载流子产生模型 | 第24页 |
| ·深亚微米SOI MOSFET器件模型 | 第24-31页 |
| ·短沟道全耗尽阈值电压模型 | 第25-27页 |
| ·短沟道全耗尽亚阈值模型 | 第27-28页 |
| ·短沟道全耗尽二级物理效应模型 | 第28-29页 |
| ·浮体效应和自加热效应模型 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 3 SOI MOSFET参数提取 | 第32-53页 |
| ·基本原理 | 第32-33页 |
| ·参数提取思想 | 第32-33页 |
| ·最优化策略 | 第33页 |
| ·提取策略 | 第33页 |
| ·最优化运算法则 | 第33-35页 |
| ·传统参数提取 | 第35-38页 |
| ·参数提取流程 | 第36-37页 |
| ·最优化过程 | 第37-38页 |
| ·本文参数提取 | 第38-52页 |
| ·采集 IV特性曲线数据 | 第40-45页 |
| ·参数提取过程 | 第45-48页 |
| ·参数提取程序 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 4 SOI MOSFET参数验证 | 第53-61页 |
| ·参数验证 | 第53-59页 |
| ·误差报告 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 5 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 附录 | 第67页 |
