| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·课题研究内容 | 第9-10页 |
| ·论文总体结构 | 第10-12页 |
| 第二章 MOS 器件的热载流子效应及1/f 噪声理论 | 第12-28页 |
| ·MOS 器件的热载流子效应 | 第12-22页 |
| ·现象 | 第12页 |
| ·历史 | 第12-13页 |
| ·原因 | 第13-16页 |
| ·机理 | 第16-22页 |
| ·MOS 器件中的1/f 噪声 | 第22-28页 |
| ·1/f 噪声概述 | 第22页 |
| ·1/f 噪声器件物理模型 | 第22-25页 |
| ·MOS 器件中的1/f 噪声 | 第25-28页 |
| 第三章 MOS 器件热载流子效应实验 | 第28-40页 |
| ·热载流子实验方案设计 | 第28-29页 |
| ·DC 热载流子注入前 | 第28页 |
| ·DC 应力热载流子注入 | 第28-29页 |
| ·DC 热载流子注入后 | 第29页 |
| ·热载流子效应前后电参数测量及结果 | 第29-31页 |
| ·测量仪器与步骤 | 第29页 |
| ·测量结果 | 第29-31页 |
| ·热载流子效应前后噪声参数的测量及结果 | 第31-38页 |
| ·测试平台 | 第31-33页 |
| ·MOS 器件测试偏置盒制作及使用说明 | 第33-37页 |
| ·测量结果 | 第37-38页 |
| ·电参数与噪声参数结果对比 | 第38-40页 |
| 第四章MOS 器件的1/f 噪声与热载流子效应相关性的研究 | 第40-48页 |
| ·1/f 噪声模型（缺陷相关模型） | 第40-42页 |
| ·1/f 噪声与缺陷的关系 | 第42-44页 |
| ·缺陷对1/f 噪声参数的影响 | 第44-45页 |
| ·缺陷对噪声功率谱Si f γ的影响 | 第44-45页 |
| ·缺陷对1/ f γ噪声指数的影响 | 第45页 |
| ·1/f 噪声表征MOSFET 抗热载流子效应能力的可行性 | 第45-48页 |
| 第五章 结论与展望 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第48页 |
| ·展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第56页 |
