| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-19页 |
| ·半导体硅工业发展现状 | 第7-9页 |
| ·直拉法生长硅单晶的原理和工艺 | 第9-14页 |
| ·CZSI中存在的主要杂质和缺陷 | 第14-16页 |
| ·有限元法在晶体生长中的应用 | 第16-17页 |
| ·本文所研究的主要内容 | 第17-19页 |
| 2 TDL-150 型单晶炉炉体结构设计 | 第19-31页 |
| ·炉底的设计 | 第19-24页 |
| ·炉筒的设计 | 第24-27页 |
| ·炉盖 | 第27-31页 |
| 3 单晶炉内的热场 | 第31-36页 |
| ·CZSI单晶生长系统中的输运现象 | 第31-35页 |
| ·CZSI单晶生长的减压工艺 | 第35-36页 |
| 4 TDL-150 型单晶炉复合热场的数值模拟 | 第36-49页 |
| ·晶体和熔体中的温度分布 | 第36-39页 |
| ·热场的数值模拟 | 第39-45页 |
| ·长晶不同阶段温度场的全局模拟 | 第45-47页 |
| ·分析与讨论 | 第47-49页 |
| 5 TDL-150 型单晶炉系统中氩气流动过程流场的数值模拟 | 第49-53页 |
| ·流场分析的理论依据 | 第49-50页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 6 结论 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 附录 | 第58页 |