| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·集成电路产业的发展现状 | 第9-10页 |
| ·集成电路栅介质面临的挑战 | 第10-11页 |
| ·检测氧化硅质量的方法 | 第11页 |
| ·影响氧化硅质量的缺陷 | 第11-12页 |
| ·本文主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 薄栅介质二氧化硅的击穿机理及TDDB击穿模型 | 第14-24页 |
| ·二氧化硅的结构和性质 | 第14-16页 |
| ·二氧化硅的结构 | 第14-15页 |
| ·本征二氧化硅和非本征二氧化硅 | 第15页 |
| ·网络形成剂和网络改变剂 | 第15-16页 |
| ·二氧化硅本征击穿的机理 | 第16-18页 |
| ·栅氧化层的软击穿与硬击穿 | 第16页 |
| ·栅氧化层击穿 | 第16-18页 |
| ·二氧化硅的本征击穿模型 | 第18-23页 |
| ·1/E模型 | 第18-20页 |
| ·E模型 | 第20页 |
| ·1/E与E的统一模型 | 第20-21页 |
| ·逾渗透模型 | 第21-22页 |
| ·其它模型 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 薄栅氧化层TDDB击穿表征的相关参数 | 第24-34页 |
| ·氧化层电荷效应 | 第24-25页 |
| ·薄栅介质累积失效率F(t) | 第25-26页 |
| ·栅氧化层击穿电量Qbd | 第26-28页 |
| ·恒流应力下的击穿电量Qbd | 第26-27页 |
| ·恒压应力下的击穿电量Qbd | 第27-28页 |
| ·恒流应力下TDDB击穿时栅电压增量ΔVbd | 第28-30页 |
| ·击穿时间t_(bd) | 第30页 |
| ·临界陷阱密度N_(bd) | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 超薄栅氧化层的TDDB寿命评估 | 第34-48页 |
| ·TDDB测试方法 | 第34-35页 |
| ·恒压法TDDB实验条件 | 第35-37页 |
| ·实验装置 | 第35-37页 |
| ·实验方案 | 第37页 |
| ·实验数据处理 | 第37-43页 |
| ·数据处理理论基础 | 第37-38页 |
| ·数据处理过程 | 第38-43页 |
| ·实验结果分析与修正 | 第43-46页 |
| ·脉冲和直流应力下栅氧化层的寿命差异 | 第43-44页 |
| ·低电应力下栅氧化层的寿命差异 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 超薄栅介质发展的另一个方向——高k栅介质 | 第48-55页 |
| ·高k栅介质的发展现状 | 第48-49页 |
| ·高k栅介质材料的选择 | 第49-52页 |
| ·高k栅介质的介电常数选择 | 第49-50页 |
| ·高k栅介质与硅的带边匹配ΔEc | 第50-51页 |
| ·高可栅介质与硅的热力学稳定性及其界面特性 | 第51-52页 |
| ·高k栅介质HfO_2的特性 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结束语 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 研究成果 | 第62-63页 |