等离子体工艺对MOS器件的损伤研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-15页
·集成电路的可靠性研究背景	第7-8页
·等离子体工艺概述	第8-11页
·等离子体物理基础	第9-10页
·等离子体工艺在微电子技术中的应用	第10-11页
·等离子体工艺损伤(P2ID)	第11-12页
·本论文的主要研究及工作安排	第12-15页
第二章 等离子体工艺损伤机制	第15-25页
·等离子体充电损伤	第15-21页
·等离子体充电原理	第15-17页
·表面充电模型	第17-21页
·等离子体边缘损伤	第21-22页
·电子屏蔽损伤	第22-24页
·本章小结	第24-25页
第三章 充电损伤对PMOS器件NBTI的影响	第25-35页
·PMOSFET的NBTI退化效应	第25-28页
·NBTI的退化机制	第26-27页
·减轻NBTI的方法	第27-28页
·实验器件的制备、应力方案及测试方法	第28-32页
·实验器件的制备	第28页
·实验测试方案	第28-32页
·测量结果和分析	第32-34页
·本章小结	第34-35页
第四章 铜互连中的等离子体损伤	第35-45页
·Cu互连集成工艺概述	第35-37页
·嵌入式工艺	第35-36页
·多层互连结构	第36-37页
·工艺和器件	第37-38页
·测量结果和分析	第38-44页
·天线比对器件的影响	第38-40页
·不同天线层对器件的影响	第40-42页
·累积效应	第42-43页
·等离子体损伤的位置关系	第43-44页
·本章小结	第44-45页
第五章 等离子损伤的抑制方法	第45-51页
·保护二极管	第45-47页
·改进设计规则或工艺流程	第47-49页
·工艺设备的改进	第49页
·本章小结	第49-51页
第六章 结束语	第51-53页
致谢	第53-55页
参考文献	第55-59页
作者在硕士期间的研究成果及参加的科研项目	第59-60页