| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究背景与意义 | 第9-12页 |
| ·NBTI 效应研究的重要性 | 第9-12页 |
| ·超深亚微米PMOSFET 中NBTI 效应的研究意义 | 第12页 |
| ·目前国内外相关研究现状与进展 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第13-15页 |
| 第二章 超深亚微米PMOSFET 的NBTI 效应 | 第15-32页 |
| ·NBTI 效应测试设备与实验方法 | 第15-20页 |
| ·NBTI 效应测试样品制备 | 第15-18页 |
| ·NBT 效应研究的测试方案与测量方法 | 第18-20页 |
| ·NBTI 效应对PMOS 器件I-V 的影响 | 第20-25页 |
| ·应力期间器件I-V 特性的漂移 | 第21-24页 |
| ·NBTI 效应对器件I-V 特性影响的总结 | 第24-25页 |
| ·PMOSFET 静态参数随NBTI 应力时间的漂移 | 第25-27页 |
| ·器件样品与测试方法 | 第25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-27页 |
| ·应力条件和器件参数对NBTI 效应的影响 | 第27-30页 |
| ·器件样品与测试方法 | 第27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-30页 |
| ·PMOS 器件的寿命模型 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第三章 PMOSFET 的NBTI 机理及抑制方法 | 第32-45页 |
| ·NBTI 界面陷阱与氧化层电荷 | 第32-36页 |
| ·界面陷阱D_(it)和氧化层电荷Q_f 产生模型 | 第32-34页 |
| ·界面陷阱电荷Q_(it)和氧化层电荷Q_f对器件参数及特性的影响 | 第34-36页 |
| ·器件几何对界面陷阱产生的影响 | 第36-39页 |
| ·NBTI 效应的退化机理 | 第39-40页 |
| ·影响NBTI 效应的相关因素及抑制方法 | 第40-44页 |
| ·氢和水对NBTI 效应的影响 | 第40-41页 |
| ·氮和氮化对NBTI 效应的影响 | 第41-42页 |
| ·硼和氟对NBTI 效应的影响 | 第42页 |
| ·减轻NBTI 效应的方法 | 第42-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第四章 PMOSFET 的NBTI 和HCI 混合效应 | 第45-52页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·样品制备与实验方法 | 第45-46页 |
| ·NBTI+HCI 效应对PMOSFET 退化的影响 | 第46-49页 |
| ·NBTI 和HCI 混合效应对PMOSFET 参数的影响 | 第46-48页 |
| ·NBTI 和HCI 的关系 | 第48-49页 |
| ·NBTI+HCI 效应的退化机制 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 第五章 超深亚微米PMOSFET 的动态NBTI 效应 | 第52-60页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·NBTI 效应中的动态特性 | 第52-56页 |
| ·样品制备与实验方法 | 第52-53页 |
| ·实验结果与讨论 | 第53-55页 |
| ·动态效应的可能机制 | 第55-56页 |
| ·NBTI 效应中的动态寿命模型 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-60页 |
| 第六章 结束语 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 作者在读研期间的研究成果 | 第67-68页 |
