| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·超大规模集成电路中的器件可靠性问题 | 第9-10页 |
| ·热载流子效应研究的背景及意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状及进展 | 第11-12页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第12-14页 |
| 第二章 MOSFET热载流子退化 | 第14-29页 |
| ·基本的物理机制 | 第14-21页 |
| ·载流子“加热” | 第15-16页 |
| ·碰撞电离 | 第16-17页 |
| ·栅氧化层热载流子注入 | 第17-18页 |
| ·栅氧化层退化 | 第18-21页 |
| ·超深亚微米NMOSFET低工作电压下的碰撞电离机理 | 第21-23页 |
| ·概述 | 第21-22页 |
| ·电子－电子相互作用(EEI)和电子－电子散射(EES)效应 | 第22-23页 |
| ·MOSFET退化的饱和效应及模型 | 第23-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 热载流子效应的测量和表征 | 第29-36页 |
| ·实验样品的设计 | 第29-30页 |
| ·实验装置 | 第30-31页 |
| ·热载流子效应测试流程 | 第31-32页 |
| ·热载流子效应的测量表征技术 | 第32-35页 |
| ·I-V特性测试方法 | 第32-33页 |
| ·电荷泵测试技术 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 最坏应力条件下的热载流子效应 | 第36-50页 |
| ·衬底电流特性研究 | 第36-44页 |
| ·衬底电流模型 | 第36-40页 |
| ·厚栅氧NMOSFET最大衬底电流变化规律 | 第40-41页 |
| ·中栅氧NMOSFET最大衬底电流变化规律 | 第41-42页 |
| ·薄栅氧NMOSFET最大衬底电流变化规律 | 第42-44页 |
| ·最坏情况下热载流子应力条件转变的物理机制 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 NMOSFET界面陷阱辅助隧穿的漏端泄漏电流 | 第50-58页 |
| ·动态随机存取存储器简介 | 第50-52页 |
| ·热载流子应力诱生漏端泄漏电流机制 | 第52-54页 |
| ·实验与分析 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 结束语 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 研究成果 | 第65-66页 |
