| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-12页 |
| 1 绪论 | 第12-26页 |
| ·电力电子器件的发展现状 | 第12-22页 |
| ·电流控制型器件与新型功率集成器件 | 第13-16页 |
| ·电压控制型器件与新型功率复合器件 | 第16-19页 |
| ·功率集成电路与智能功率模块 | 第19-20页 |
| ·电力电子器件的发展趋势 | 第20-22页 |
| ·IGCT的研究意义与应用前景分析 | 第22-24页 |
| ·IGCT的研究背景与研究意义 | 第22-23页 |
| ·IGCT的应用前景与发展目标 | 第23-24页 |
| ·论文的主要内容 | 第24-26页 |
| 2 IGCT的工作机理及相关技术 | 第26-38页 |
| ·IGCT的结构类型与特点 | 第26-29页 |
| ·GCT的基本结构类型 | 第26-27页 |
| ·IGCT的结构特点 | 第27-29页 |
| ·GCT的工作机理 | 第29-34页 |
| ·GCT的工作机理 | 第29-31页 |
| ·GCT与GTO的比较 | 第31-34页 |
| ·GCT的特性分析与设计考虑 | 第34-36页 |
| ·GCT的静态特性分析 | 第34-35页 |
| ·GCT的动态特性分析 | 第35-36页 |
| ·RC-GCT隔离区的设计考虑 | 第36页 |
| ·存在问题及其改进方法 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 3 GCT的击穿机理研究与阻断特性分析 | 第38-48页 |
| ·GCT的耐压结构 | 第38-39页 |
| ·功率器件常用的耐压结构 | 第38-39页 |
| ·GCT的耐压结构 | 第39页 |
| ·GCT击穿机理的研究 | 第39-43页 |
| ·电场分布比较 | 第40-41页 |
| ·阻断能力比较 | 第41-42页 |
| ·通流能力比较 | 第42-43页 |
| ·GCT的击穿机理 | 第43页 |
| ·GCT阻断特性的设计 | 第43-47页 |
| ·阻断特性的设计考虑 | 第43-45页 |
| ·阻断特性的模拟与优化 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 透明阳极的电流输运机理与特性研究 | 第48-62页 |
| ·透明阳极的电流输运机理分析 | 第48-51页 |
| ·透明阳极的电流输运过程 | 第49页 |
| ·透明阳极电子电流密度分析 | 第49-51页 |
| ·透明阳极的机理 | 第51页 |
| ·透明阳极的特性分析 | 第51-58页 |
| ·通态特性分析 | 第52-53页 |
| ·开关特性分析 | 第53-58页 |
| ·透明阳极的设计与优化 | 第58-61页 |
| ·透明阳极的设计 | 第58页 |
| ·透明阳极的优化 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 5 改进型的GCT结构及其特性分析 | 第62-76页 |
| ·注入效率可控的GCT(IEC-GCT)结构及其特性分析 | 第62-69页 |
| ·IEC-GCT结构的提出 | 第62-64页 |
| ·特性分析 | 第64-67页 |
| ·关键参数的优化及实现 | 第67-69页 |
| ·沟槽隔离的RC-GCT结构及其特性分析 | 第69-73页 |
| ·沟槽隔离的RC-GCT结构的提出 | 第69-70页 |
| ·特性分析 | 第70-72页 |
| ·沟槽区结构参数的优化及实现 | 第72-73页 |
| ·带p扩散环隔离的RC-GCT结构及其特性分析 | 第73-75页 |
| ·带p扩散环隔离的RC-GCT结构的提出 | 第73页 |
| ·特性分析 | 第73-75页 |
| ·p扩散环参数的优化及实现 | 第75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 6 门-阴极图形的改进与版图设计 | 第76-83页 |
| ·GCT门-阴极图形的改进 | 第76-81页 |
| ·新门-阴极图形的设计 | 第78-80页 |
| ·性能评价与分析 | 第80-81页 |
| ·GCT的版图设计 | 第81-82页 |
| ·非对称GCT的版图设计 | 第81页 |
| ·RC-GCT的版图设计 | 第81-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 7 GCT工艺技术的研究 | 第83-106页 |
| ·工艺分析与工艺模拟 | 第83-93页 |
| ·关键区域的设计考虑 | 第83-84页 |
| ·GCT的工艺改进 | 第84-86页 |
| ·工艺模拟及其结果分析 | 第86-93页 |
| ·实验验证 | 第93-98页 |
| ·沟槽隔离RC-GCT的工艺方案 | 第93-94页 |
| ·沟槽隔离RC-GCT的实验结果 | 第94-96页 |
| ·GCT的单项工艺实验 | 第96-97页 |
| ·非对称GCT的工艺方案 | 第97-98页 |
| ·其他相关工艺技术的研究 | 第98-105页 |
| ·RC-GCT中少子寿命的控制 | 第98-102页 |
| ·硅直接键合(SDB)技术在GCT中的应用 | 第102-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 8 结束语 | 第106-108页 |
| ·主要结论 | 第106-107页 |
| ·今后研究工作设想 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-109页 |
| 参考资料 | 第109-120页 |
| 在校学习期间所发表的论文、专利 | 第120-123页 |
| 一、在攻读博士学位期间发表的研究论文 | 第120-121页 |
| 二、在攻读博士学位期间发表的其它相关论文 | 第121-122页 |
| 三、在校学习期间发明专利 | 第122-123页 |
| 附录 | 第123页 |