| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·LDMOS 器件概述 | 第10-15页 |
| ·功率器件发展 | 第10-11页 |
| ·LDMOS 的器件结构和特点 | 第11-14页 |
| ·LDMOS 器件的研究进展 | 第14-15页 |
| ·LDMOS 的研究方向 | 第15-18页 |
| ·击穿特性的改善 | 第16-17页 |
| ·可靠性提高 | 第17-18页 |
| ·频率特性的改善 | 第18页 |
| ·本论文的研究意义和研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 射频LDMOS 击穿特性研究 | 第20-34页 |
| ·RESURF 技术在提高LDMOS 击穿电压中的应用 | 第20-26页 |
| ·RESURF 技术 | 第20-21页 |
| ·LDMOS 击穿电压模拟分析 | 第21-26页 |
| ·内场限环技术 | 第26-29页 |
| ·场板技术 | 第29-31页 |
| ·喙栅结构 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章LDMOS 射频特性研究 | 第34-48页 |
| ·LDMOS 电容特性 | 第34-36页 |
| ·影响LDMOS 器件电容特性的因素 | 第36-41页 |
| ·栅氧化层厚度对电容的影响 | 第36-38页 |
| ·沟道区浓度对电容的影响 | 第38-39页 |
| ·漂移区浓度对电容的影响 | 第39页 |
| ·漏极电压对栅漏电容的影响 | 第39-40页 |
| ·栅极电压对栅漏电容的影响 | 第40-41页 |
| ·LDMOS 跨导特性 | 第41-44页 |
| ·栅氧化层厚度和跨导的关系 | 第41页 |
| ·漂移区浓度对跨导值的影响 | 第41-43页 |
| ·沟道掺杂浓度对跨导极值的影响 | 第43-44页 |
| ·LDMOS 器件结构的优化 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 LDMOS 的新结构 | 第48-58页 |
| ·器件结构 | 第48-51页 |
| ·DRTG-LDMOS 器件特性分析与比较 | 第51-56页 |
| ·击穿特性 | 第51-54页 |
| ·栅的制作工艺流程 | 第54页 |
| ·频率特性 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章LDMOS 器件的热击穿和静电保护结构 | 第58-70页 |
| ·LDMOS 的热击穿机理和特性 | 第59-63页 |
| ·LDMOS 的热击穿机理 | 第59-60页 |
| ·LDMOS 和MOS 在ESD 过程中的差异 | 第60-63页 |
| ·LDMOS 的保护结构 | 第63-66页 |
| ·漏加深的双RESURF 结构 | 第63-64页 |
| ·SCR-LDMOS | 第64-65页 |
| ·HST-LDMOS | 第65-66页 |
| ·ESD 保护中的钳位方案 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结束语 | 第70-72页 |
| 未来的计划 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 发表文章 | 第77页 |
| 参加项目 | 第77-78页 |