6H-SiC单晶电参数的红外光谱研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
第一章 绪论	第8-14页
·背景	第8-10页
·研究现状	第10-11页
·本课题的选题意义和主要工作	第11-14页
第二章 碳化硅材料的性质及生长方法	第14-22页
·碳化硅材料的性质	第14-19页
·碳化硅材料的晶体结构	第14-16页
·碳化硅材料的电学性质	第16-18页
·碳化硅材料的光学性质	第18-19页
·碳化硅单晶的生长	第19-22页
·Acheson法	第19页
·Lely法	第19-20页
·物理气相传输法	第20-22页
第三章 SiC介电函数模型的建立	第22-34页
·半导体光谱概述	第22页
·自由载流子吸收和等离子激元吸收	第22-26页
·极性半导体光学声子晶格振动反射谱	第26-29页
·等离子激元－纵光学声子耦合模	第29-30页
·SiC介电函数模型	第30-34页
第四章 6H-SiC单晶的霍尔测试	第34-42页
·理论部分	第34-38页
·欧姆接触	第34-36页
·霍尔效应	第36-38页
·实验部分	第38-42页
·实验仪器及样品处理	第38-39页
·实验结果	第39-42页
第五章 6H-SiC单晶的红外光谱测试	第42-58页
·简介	第42-43页
·实验	第43-58页
·实验仪器及其原理	第43-46页
·光谱的获得及分析	第46-52页
·反射光谱的理论拟合	第52-55页
·红外与霍尔结果的比较及分析	第55-58页
第六章 结论	第58-60页
致谢	第60-62页
参考文献	第62-68页
硕士在读期间的研究成果	第68页