| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 论文的主要贡献和创新 | 第10-11页 |
| 目录 | 第11-15页 |
| 第一章 文献综述 | 第15-44页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe晶体的基本物理性质 | 第15-17页 |
| ·晶体结构 | 第15-17页 |
| ·能带结构 | 第17页 |
| ·Cd_(l_x)Zn_xTe晶体在室温核辐射探测器中的应用 | 第17-22页 |
| ·核辐射探测器的工作原理 | 第17-19页 |
| ·高性能核辐射探测器对材料的要求 | 第19-20页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe晶体在室温核辐射探测器中的应用 | 第20-22页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe晶体的电学与光学性质及其表征 | 第22-29页 |
| ·电阻率 | 第22-25页 |
| ·载流子的传输特性 | 第25-26页 |
| ·红外透过性能 | 第26-27页 |
| ·光致发光性能 | 第27-29页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe晶体中的电活性缺陷及掺杂 | 第29-30页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe的晶体生长 | 第30-34页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe晶体生长的特点 | 第30-31页 |
| ·相图分析 | 第30-31页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe晶体生长中的困难 | 第31页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe晶体的生长方法 | 第31-33页 |
| ·高压布里奇曼法 | 第32页 |
| ·改进低压布里奇曼法 | 第32-33页 |
| ·大尺寸Cd_(l-x)Zn_xTe晶体的生长 | 第33-34页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe的表面电极研究 | 第34-35页 |
| ·本论文的选题及研究思路 | 第35-37页 |
| 本章参考文献 | 第37-44页 |
| 第二章 Cd_(l-x)Zn_xTe晶体的生长掺In研究 | 第44-64页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe晶体的掺In生长实验 | 第45-50页 |
| ·多晶原料的合成 | 第45-47页 |
| ·晶体生长设备 | 第47-49页 |
| ·晶体的生长过程控制 | 第49页 |
| ·晶体的后续加工 | 第49-50页 |
| ·In掺杂对于Cd_(l-x)Zn_xTe晶体性能的影响 | 第50-62页 |
| ·晶体的结晶质量 | 第50-52页 |
| ·晶体的电阻率 | 第52-54页 |
| ·晶体的电流-时间(I-t)特性 | 第54-55页 |
| ·晶体的红外透过光谱 | 第55-58页 |
| ·自由载流子吸收 | 第57页 |
| ·晶格吸收 | 第57-58页 |
| ·晶体的光致发光特性 | 第58-62页 |
| ·In掺杂前后D_(comolex)峰的变化 | 第59-61页 |
| ·In掺杂前后DAP峰的变化 | 第61页 |
| ·In掺杂前后(A~0,X)激子峰的变化 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 本章参考文献 | 第63-64页 |
| 第三章 Cd_(l-x)Zn_xTe晶体的退火掺In研究 | 第64-75页 |
| ·掺In退火的实验设计及相关工艺参数的确定 | 第64-68页 |
| ·掺In退火的控制原理 | 第64-65页 |
| ·掺In退火的实验设备 | 第65-66页 |
| ·掺In退火的工艺参数 | 第66-68页 |
| ·掺In退火的实验结果及讨论 | 第68-73页 |
| ·掺杂退火对Cd_(l-x)Zn_xTe晶体结晶质量的影响 | 第68-69页 |
| ·掺杂退火对Cd_(l-x)Zn_xTe晶体红外透过率的影响 | 第69-70页 |
| ·掺杂退火对Cd_(l-x)Zn_xTe晶体电阻率的影响 | 第70页 |
| ·掺杂退火对Cd_(l-x)Zn_xTe晶体光致发光特性的影响 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73页 |
| 本章参考文献 | 第73-75页 |
| 第四章 采用PL谱综合评价Cd_(l-x)Zn_xTe:In晶体的质量 | 第75-89页 |
| ·光致发光的原理 | 第75-76页 |
| ·光致发光测试系统的组成 | 第76页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe:In晶体的典型PL谱 | 第76-78页 |
| ·Cd_(l-x)Zn_xTe:In晶体的PL谱和其它性能之间的联系 | 第78-87页 |
| ·(D~0,X)峰的半峰宽与Te沉淀/夹杂密度之间的关系 | 第80-82页 |
| ·D_(complex)峰强与位错密度之间的关系 | 第82-83页 |
| ·PL谱与电阻率之间的关系 | 第83-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 本章参考文献 | 第88-89页 |
| 第五章 晶锭尺寸对Cd_(l-x)Zn_xTe:In晶体性能的影响 | 第89-98页 |
| ·大尺寸Cd_(l-x)Zn_xTe:In的晶体生长 | 第89页 |
| ·性能表征方法 | 第89-90页 |
| ·实验结果及分析讨论 | 第90-96页 |
| ·晶锭直径变化对Cd_(l-x)Zn_xTe:In晶体结晶质量的影响 | 第90-93页 |
| ·不同直径Cd_(l-x)Zn_xTe:In晶锭的红外透过率变化 | 第93-94页 |
| ·晶锭直径变化对Cd_(l-x)Zn_xTe:In晶体光致发光特性的影响 | 第94-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 本章参考文献 | 第97-98页 |
| 第六章 采用退火处理改善Au-Cd_(l-x)Zn_xTe:In接触特性 | 第98-108页 |
| ·实验方法 | 第98-100页 |
| ·晶片的准备 | 第98-99页 |
| ·电极的制备 | 第99页 |
| ·Au-Cd_(l-x)Zn_xTe:In电极的退火处理 | 第99页 |
| ·测试手段 | 第99-100页 |
| ·实验结果及分析讨论 | 第100-106页 |
| ·退火对Au-Cd_(l-x)Zn_xTe:In电极I-V特性的影响 | 第100-102页 |
| ·退火对于Au-Cd_(l-x)Zn_xTe:In电极漏电流稳定性的影响 | 第102-104页 |
| ·退火对于Au-Cd_(l-x)Zn_xTe:In电极光致发光特性的影响 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106页 |
| 本章参考文献 | 第106-108页 |
| 主要结论 | 第108-110页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第110-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
