| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-29页 |
| ·引言 | 第10-14页 |
| ·红外探测器衬底用 Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te晶体 | 第10-11页 |
| ·室温核辐射探测器用 Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体 | 第11-14页 |
| ·CZT晶体的物理性能 | 第14-21页 |
| ·CZT的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·CZT晶体的电学特征 | 第15-17页 |
| ·CZT晶体的光学特征 | 第17-20页 |
| ·Cd-Te化学键对晶体生长的影响以及 CZT相图 | 第20-21页 |
| ·CZT晶体的制备 | 第21-23页 |
| ·籽晶法生长 CZT单晶 | 第23-24页 |
| ·籽晶法的生长原理及发展现状 | 第23-24页 |
| ·籽晶法生长 CZT晶体 | 第24页 |
| ·本文的研究内容 | 第24-25页 |
| 本章参考文献 | 第25-29页 |
| 第二章 籽晶的选择及处理 | 第29-37页 |
| ·籽晶VB法的原理 | 第29-30页 |
| ·籽晶法的原理 | 第29-30页 |
| ·底部籽晶法 | 第30页 |
| ·籽晶的选择及处理 | 第30-34页 |
| ·籽晶的各向异性对 CZT晶体生长的影响 | 第31-33页 |
| ·异质籽晶 | 第33-34页 |
| ·籽晶的处理 | 第34页 |
| ·籽晶可能出现的问题及对籽晶的控制 | 第34-35页 |
| ·本章小节 | 第35-36页 |
| 本章参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 CZT晶体生长研究 | 第37-48页 |
| ·原料配比及多晶料合成 | 第37-39页 |
| ·Cd补偿工艺 | 第37-38页 |
| ·多晶料合成 | 第38-39页 |
| ·CZT晶体生长 | 第39-42页 |
| ·温度场优化 | 第40-41页 |
| ·晶体生长过程控制 | 第41-42页 |
| ·籽晶法生长结果及对晶锭的加工 | 第42-45页 |
| ·晶体生长结果 | 第42-43页 |
| ·晶锭的切割 | 第43-45页 |
| ·晶粒测定 | 第45-46页 |
| ·晶片后续处理 | 第46页 |
| ·本章小节 | 第46-47页 |
| 本章参考文献 | 第47-48页 |
| 第四章 CZT晶体结晶质量研究及组分分布分析 | 第48-59页 |
| ·CZT晶体的结晶质量 | 第48-52页 |
| ·X射线双晶摇摆曲线(DCRC) | 第48-49页 |
| ·CZT晶体结晶质量 | 第49-52页 |
| ·Zn在 CZT晶体中的分布 | 第52-56页 |
| ·CZT组分测定方法 | 第52-53页 |
| ·近红外(NIR)光谱测试 CZT中Zn组分的方法 | 第53-54页 |
| ·Zn在 CZT晶锭中的分布 | 第54-56页 |
| ·本章小节 | 第56-57页 |
| 本章参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 CZT晶体的性能表征 | 第59-71页 |
| ·CZT红外透过率研究 | 第59-63页 |
| ·影响 CZT晶体红外透射的因素 | 第59-60页 |
| ·生长态 CZT晶体的红外透过率测试 | 第60-63页 |
| ·In:Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片的PL谱分析 | 第63-66页 |
| ·In:Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的电学性能测试 | 第66-68页 |
| ·Au/CZT欧姆接触电极的制备 | 第66-67页 |
| ·Au/CZT晶体接触的电流-电压(I-V)特性 | 第67-68页 |
| ·本章小节 | 第68-69页 |
| 本章参考文献 | 第69-71页 |
| 主要结论 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
