| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-16页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第9-11页 |
| ·国内外综述 | 第11-13页 |
| ·未来的发展趋势 | 第13-14页 |
| ·课题主要研究内容 | 第14-16页 |
| 2. 超晶格量子阱能带结构及半导体材料 | 第16-29页 |
| ·超晶格量子阱的能带结构原理与分类 | 第16-21页 |
| ·超晶格量子阱的能带结构原理 | 第16-18页 |
| ·超晶格的分类 | 第18-21页 |
| ·几种常用半导体材料 | 第21-25页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料 | 第21-22页 |
| ·宽禁带半导体材料 | 第22-25页 |
| ·半导体材料的费米能级 | 第25-29页 |
| ·载流子浓度和费米能级的统计分布 | 第25-27页 |
| ·GaAs和GaN的N型和P型电极中费米能级计算 | 第27-29页 |
| 3. 共振隧穿效应及理论公式推导 | 第29-38页 |
| ·双势垒单量子阱结构及共振隧穿效应 | 第29-31页 |
| ·透射系数和电流密度公式的理论推导 | 第31-35页 |
| ·基于GaAs/AlAs/In_(0.1)Ga_(0.9)As薄膜结构的I-V 曲线计算分析 | 第35-38页 |
| 4. 不同半导体材料量子阱结构的I-V 特性研究 | 第38-60页 |
| ·Al_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱体系的I-V 特性研究 | 第38-49页 |
| ·Al_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱体系的结构设计 | 第38-39页 |
| ·结构材料参数 | 第39页 |
| ·透射系数研究 | 第39-43页 |
| ·I-V特性研究 | 第43-49页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/GaN 量子阱体系的I-V 特性研究 | 第49-60页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/GaN 量子阱体系的结构设计 | 第49-51页 |
| ·结构材料参数 | 第51页 |
| ·透射系数研究 | 第51-54页 |
| ·I-V特性研究 | 第54-60页 |
| 5. 应力对超晶格多量子阱的I-V特性影响 | 第60-68页 |
| ·介观压阻效应理论 | 第60-63页 |
| ·应力对超晶格多量子阱的I-V特性影响 | 第63-68页 |
| ·外应力下超晶格多量子阱的应变关系 | 第63-64页 |
| ·应力对Al_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN量子阱的I-V特性影响 | 第64-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
