| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10-14页 |
| ·稀磁半导体的研究背景 | 第10-11页 |
| ·稀磁半导体自旋相关的光学、输运和磁学特性 | 第11-14页 |
| ·基于Ⅲ-Ⅴ稀磁半导体材料的研究现状 | 第14-20页 |
| ·GaAs基稀磁半导体(Ga,Mn)As | 第14-17页 |
| ·GaN基宽带隙稀磁半导体(Ga,Mn)N | 第17-20页 |
| 第二章 半导体一维电子结构的数值计算法 | 第20-28页 |
| ·平面波展开方法 | 第20-21页 |
| ·传输矩阵方法 | 第21-23页 |
| ·打靶数值计算方法 | 第23-24页 |
| ·自洽求解方法 | 第24-28页 |
| 第三章 Mn选择性δ掺杂GaAs/AlGaAs异质结铁磁性能的研究 | 第28-42页 |
| ·居里温度计算公式的理论推导 | 第28-29页 |
| ·理论模型 | 第29-31页 |
| ·GaAs/AlGaAs异质结铁磁性能的数值调制研究 | 第31-42页 |
| ·势垒上受主杂质浓度的调制研究 | 第31-33页 |
| ·势阱内Mnδ掺杂位置的调制研究 | 第33-35页 |
| ·势阱内Mnδ掺杂浓度的调制研究 | 第35-38页 |
| ·GaAs/AlGaAs异质结居里温度的调制研究 | 第38-42页 |
| 第四章 Mn选择性δ掺杂GaN/AlGaN量子阱铁磁性能的研究 | 第42-53页 |
| ·理论模型 | 第42-44页 |
| ·单量子阱GaN/AlGaN铁磁性能的数值调制研究 | 第44-49页 |
| ·单量子阱阱宽对铁磁性能的调制研究 | 第44-47页 |
| ·单量子阱垒宽对铁磁性能的调制研究 | 第47-49页 |
| ·双量子阱GaN/AlGaN铁磁性能的数值调制研究 | 第49-53页 |
| ·对称双量子阱铁磁性能的调制研究 | 第49-51页 |
| ·不对称双量子阱铁磁性能的调制研究 | 第51-53页 |
| 第五章 (Ga,Mn)As稀磁半导体量子阱铁磁性能的数值计算 | 第53-59页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·理论模型 | 第53-55页 |
| ·空穴哈密顿函数和p-d相互作用哈密顿函数 | 第53-54页 |
| ·Hartree势和交换关联势 | 第54-55页 |
| ·数值计算的结果分析 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 附录 发表论文和科研情况说明 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
