| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景 | 第8页 |
| ·研究意义 | 第8-10页 |
| ·本文的主要内容 | 第10-12页 |
| 2 结构建立与物理模型选取 | 第12-24页 |
| ·结构模型的建立 | 第12-14页 |
| ·结构模型考虑 | 第12-13页 |
| ·结构参数的选取 | 第13-14页 |
| ·模拟方法 | 第14-15页 |
| ·模拟软件简介 | 第14页 |
| ·模拟方法 | 第14-15页 |
| ·器件物理模型的选取 | 第15-23页 |
| ·流体力学能量输运模型 | 第15-17页 |
| ·量子学模型 | 第17-18页 |
| ·迁移率模型 | 第18-20页 |
| ·载流子复合模型 | 第20-22页 |
| ·载流子产生模型 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 横向多栅极SOI MOS与普通SOI MOS的比较 | 第24-44页 |
| ·结构的建立 | 第24页 |
| ·三维结构的纵向参数比较 | 第24-32页 |
| ·沟道强反型电子空穴浓度的比较 | 第25-27页 |
| ·电子空穴电流密度的比较 | 第27-29页 |
| ·电子迁移率与电子饱和速率的比较 | 第29-32页 |
| ·二维结构的横向参数比较 | 第32-37页 |
| ·沟道强反型电子空穴浓度的比较 | 第32-34页 |
| ·电子空穴电流密度的比较 | 第34-35页 |
| ·电子迁移率与电子饱和速率的比较 | 第35-37页 |
| ·横向多栅极结构自身二维横向参数比较 | 第37-42页 |
| ·沟道强反型电子空穴浓度的比较 | 第38-39页 |
| ·电子空穴电流密度的比较 | 第39-40页 |
| ·电子迁移率与电子饱和速率的比较 | 第40-42页 |
| ·本章小节 | 第42-44页 |
| 4 横向多栅极SOI MOS特性分析与工艺探索 | 第44-58页 |
| ·SOI MOS器件的理论模型 | 第44-46页 |
| ·阈值电压模型 | 第44-45页 |
| ·速度饱和电流模型 | 第45-46页 |
| ·横向多栅极SOI器件的特性分析 | 第46-53页 |
| ·饱和漏电流模拟分析 | 第47-50页 |
| ·阈值电压模拟分析 | 第50-53页 |
| ·横向多栅极结构顶部工艺仿真 | 第53-56页 |
| ·横向多栅极与普通结构工艺流程的区别 | 第53-54页 |
| ·横向多栅极结构工艺仿真 | 第54-56页 |
| ·本章小节 | 第56-58页 |
| 5 基于横向多栅极SOI MOS的电路应用 | 第58-68页 |
| ·神经元电路设计 | 第58-63页 |
| ·多阈值神经元模型 | 第58-59页 |
| ·神经元电路设计 | 第59-63页 |
| ·匹配电路设计 | 第63-65页 |
| ·横向多栅极 MOS电路与实测曲线 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 6 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 在校期间发表的论文 | 第74页 |