| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT研究进展 | 第10-12页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT中的电流崩塌现象 | 第12-18页 |
| ·电流崩塌现象 | 第12-13页 |
| ·电流崩塌现象的解释模型 | 第13-15页 |
| ·减小电流崩塌的措施 | 第15-18页 |
| ·本文的结构和主要研究内容 | 第18-22页 |
| 第二章 器件制造与器件特性 | 第22-28页 |
| ·器件材料与制造 | 第22-25页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT材料生长 | 第22-24页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT工艺 | 第24-25页 |
| ·器件特性与测量 | 第25-27页 |
| ·器件的直流特性与频率特性 | 第25-26页 |
| ·器件特性参数的测量 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 应力对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响 | 第28-50页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的极化效应与表面态 | 第28-33页 |
| ·极化效应 | 第28-30页 |
| ·极化效应与表面态 | 第30-33页 |
| ·大电场应力对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响 | 第33-38页 |
| ·不同电场下的电流崩塌 | 第34-35页 |
| ·栅极脉冲测试 | 第35-36页 |
| ·电流崩塌瞬态分析 | 第36-38页 |
| ·大电场应力下电流崩塌的解释 | 第38-44页 |
| ·虚柵控制沟道电阻的模型 | 第38-42页 |
| ·脉冲条件下电流崩塌的解释模型 | 第42-43页 |
| ·电流崩塌的恢复瞬态分析 | 第43-44页 |
| ·热电子应力对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响 | 第44-48页 |
| ·实验方法和结果 | 第44-46页 |
| ·实验结果分析 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的改善 | 第50-60页 |
| ·钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响 | 第50-55页 |
| ·器件结构与工艺 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-55页 |
| ·紫外光照对电流崩塌的改善 | 第55-56页 |
| ·涂胶对电流崩塌的改善 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第72-73页 |
