| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·GaN基材料的应用 | 第11-13页 |
| ·GaN晶体的生长 | 第13-17页 |
| ·GaN体晶生长技术 | 第13-14页 |
| ·GaN晶体薄膜外延生长技术 | 第14-16页 |
| ·GaN晶体薄膜外延生长衬底材料的选择 | 第16-17页 |
| ·本文的研究目标以及内容安排 | 第17-19页 |
| 第二章 欧姆接触理论及测试方法 | 第19-41页 |
| ·欧姆接触理论 | 第19-21页 |
| ·传输线模型与圆形传输线模型 | 第21-30页 |
| ·TLM | 第21-23页 |
| ·CTLM | 第23-26页 |
| ·实验中两种传输线模型的改进 | 第26-30页 |
| ·n-GaN基材料欧姆接触的制作 | 第30-39页 |
| ·制作欧姆接触面临的挑战 | 第30-31页 |
| ·主要的设计原则 | 第31-34页 |
| ·扩散理论 | 第34-36页 |
| ·热电子发射理论 | 第36-37页 |
| ·镜像力和隧道效应的影响 | 第37-39页 |
| ·本章小节 | 第39-41页 |
| 第三章 GaN基材料的欧姆接触 | 第41-49页 |
| ·欧姆接触的制作 | 第41-42页 |
| ·n-GaN欧姆接触 | 第42页 |
| ·n-AlGaN/GaN欧姆接触 | 第42-45页 |
| ·退火条件对欧姆接触性能的影响 | 第42-43页 |
| ·温度对欧姆接触性能的影响 | 第43-45页 |
| ·p-GaN欧姆接触 | 第45-48页 |
| ·本章小节 | 第48-49页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件性能研究 | 第49-61页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件 | 第49-52页 |
| ·AlGaN/GaN异质结 | 第49-50页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的结构 | 第50页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT器件的基本制造工艺 | 第50-52页 |
| ·不同Al组分AlGaN/GaN HEMT器件 | 第52-58页 |
| ·层结构电学特性 | 第53-54页 |
| ·不同Al组分欧姆接触比较 | 第54-55页 |
| ·器件制作及器件测试 | 第55-58页 |
| ·温度对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响 | 第58-59页 |
| ·本章小节 | 第59-61页 |
| 第五章 结束语 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第75-76页 |