90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·集成电路的可靠性研究背景 | 第9-10页 |
| ·集成电路存在的主要可靠性问题 | 第10-12页 |
| ·超薄栅氧化层经时击穿 | 第12-15页 |
| ·本论文的主要研究及工作安排 | 第15-17页 |
| 第二章 超薄栅氧化层TDDB击穿机理 | 第17-31页 |
| ·超薄栅氧化层TDDB击穿机理概述 | 第17-18页 |
| ·碰撞电离理论 | 第18-19页 |
| ·SI-SiO_2系统的主要缺陷 | 第19-21页 |
| ·缺陷产生失效理论 | 第21-29页 |
| ·动态平衡模型 | 第21-23页 |
| ·缺陷产生模型 | 第23-25页 |
| ·TDDB参数与栅氧化层击穿 | 第25-27页 |
| ·统计分布模型 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 超薄栅氧化层TDDB击穿模型 | 第31-45页 |
| ·电子俘获击穿模型 | 第31-36页 |
| ·E.Harari模型 | 第31-33页 |
| ·D.J.Dumin模型 | 第33-34页 |
| ·P.P A pte模型 | 第34-36页 |
| ·空穴击穿模型 | 第36-43页 |
| ·C.Hu模型 | 第37-41页 |
| ·C.F.Chen模型 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 90纳米NMOSFET的TDDB效应研究 | 第45-63页 |
| ·实验器件的应力方案及测试方法 | 第45-51页 |
| ·实验仪器与样品 | 第45-50页 |
| ·应力测试方案及参数测量 | 第50-51页 |
| ·90纳米NMOSFET的TDDB效应分析 | 第51-55页 |
| ·不相同应力下I_G与t_(bd)的关系 | 第52-54页 |
| ·相同应力下栅氧化层的面积S与t_(bd)的关系 | 第54-55页 |
| ·NMOSFET寿命预测模型分析 | 第55-58页 |
| ·NMOSFET栅氧化层的质量表征 | 第58-61页 |
| ·累计失效率与缺陷密度的关系 | 第59-60页 |
| ·缺陷密度与外加应力的关系 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结束语 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 作者在硕士期间的研究成果及获奖情况 | 第69-70页 |
