| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 1 引言 | 第13-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第13页 |
| 1.2 研究意义及创新点 | 第13-15页 |
| 1.3 论文的组成及内容提要 | 第15-17页 |
| 2 文献综述 | 第17-29页 |
| 2.1 硅光子学及光互联 | 第17-20页 |
| 2.1.1 集成电路发展所面临的严峻挑战 | 第17-18页 |
| 2.1.2 光通信的发展及硅光子学的提出 | 第18-19页 |
| 2.1.3 硅的光学性质及局限性 | 第19-20页 |
| 2.1.4 硅基光源的发展趋势 | 第20页 |
| 2.2 硅基光源的研究进展 | 第20-25页 |
| 2.2.1 体硅材料的发光器件 | 第20-21页 |
| 2.2.2 纳米结构硅材料的发光器件 | 第21-23页 |
| 2.2.3 Ⅲ-Ⅴ族混合集成激光器 | 第23-24页 |
| 2.2.4 稀土离子掺杂材料的发光器件 | 第24-25页 |
| 2.3 稀土离子掺杂的氧化物半导体薄膜电致发光器件 | 第25-27页 |
| 2.4 稀土离子掺杂的氧化物半导体发光体系存在的问题及解决方案 | 第27-29页 |
| 3 样品的制备与表征 | 第29-35页 |
| 3.1 样品的制备 | 第29-31页 |
| 3.1.1 硅片清洗工艺 | 第29页 |
| 3.1.2 磁控溅射 | 第29-30页 |
| 3.1.3 电子束蒸发 | 第30页 |
| 3.1.4 热处理设备 | 第30-31页 |
| 3.2 样品的表征 | 第31-35页 |
| 3.2.1 膜厚测量 | 第31-32页 |
| 3.2.2 物相分析 | 第32页 |
| 3.2.3 形貌分析 | 第32-33页 |
| 3.2.4 光致发光分析 | 第33页 |
| 3.2.5 电致发光分析 | 第33页 |
| 3.2.6 色坐标分析 | 第33-35页 |
| 4 CeO_2薄膜电致发光器件的制备及性能研究 | 第35-49页 |
| 4.1 CeO_2薄膜电致发光器件的制备及发光机理研究 | 第35-40页 |
| 4.1.1 CeO_2薄膜电致发光器件的制备 | 第35-39页 |
| 4.1.2 CeO_2薄膜电致发光器件发光机理研究 | 第39-40页 |
| 4.2 CeO_2薄膜结晶对电致发光器的影响 | 第40-43页 |
| 4.2.1 薄膜厚度对电致器件性能的影响 | 第40-41页 |
| 4.2.2 退火温度对电致器件性能的影响 | 第41-43页 |
| 4.3 金属铕掺杂对CeO_2薄膜电致发光器件性能的改善 | 第43-47页 |
| 4.3.1 金属铕掺杂CeO_2薄膜电致发光器件的制备及表征 | 第44-45页 |
| 4.3.2 金属铕掺杂CeO_2薄膜电致发光器件的性能研究 | 第45-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 5 CeO_2:Er~(3+)薄膜发光器件的制备及性能研究 | 第49-75页 |
| 5.1 CeO_2:Er~(3+)绿色电致发光器件的制备及性能研究 | 第49-57页 |
| 5.1.1 CeO_2:Er~(3+)薄膜电致发光器件的制备 | 第49-53页 |
| 5.1.2 CeO_2:Er~(3+)薄膜电致发光器件发光机理研究 | 第53-55页 |
| 5.1.3 CeO_2:Er~(3+)薄膜电致发光器件性能改善 | 第55-57页 |
| 5.2 CeO_2:Eu~(3+)红色电致发光器件的制备及性能研究 | 第57-64页 |
| 5.2.1 CeO_2:Eu~(3+)薄膜电致发光器件的制备 | 第57-60页 |
| 5.2.2 CeO_2:Eu~(3+)薄膜电致发光器件发光机理研究 | 第60-61页 |
| 5.2.3 CeO_2:Eu~(3+)薄膜电致发光器件性能改善 | 第61-64页 |
| 5.3 CeO_2:Sm~(3+)橙色电致发光器件的制备及性能研究 | 第64-69页 |
| 5.3.1 CeO_2:Sm~(3+)薄膜的制备 | 第64-67页 |
| 5.3.2 CeO_2:Sm~(3+)薄膜电致发光器件发光机理研究 | 第67-68页 |
| 5.3.3 CeO_2:Sm~(3+)薄膜电致发光器件性能改善 | 第68-69页 |
| 5.4 CeO_2:Yb~(3+)近红外光致发光器件的制备及性能研究 | 第69-73页 |
| 5.4.1 CeO_2:Yb~(3+)薄膜光致发光器件的制备 | 第69-71页 |
| 5.4.2 CeO_2:Yb~(3+)薄膜光致发光器件发光机理研究 | 第71-72页 |
| 5.4.3 Yb~(3+)浓度对器件发光强度的影响 | 第72-73页 |
| 5.5 本章小结 | 第73-75页 |
| 6 Ce_2Si_2O_7薄膜电致发光器件的制备及性能研究 | 第75-87页 |
| 6.1 不同退火气氛对薄膜成分的影响 | 第75-78页 |
| 6.2 Ce_2Si_2O_7薄膜电致发光器件的制备及发光机理研究 | 第78-81页 |
| 6.2.1 Ce_2Si_2O_7薄膜电致发光器件的制备 | 第78-80页 |
| 6.2.2 Ce_2Si_2O_7薄膜电致发光器件发光机理研究 | 第80-81页 |
| 6.3 Ce_2Si_2O_7薄膜结晶对电致发光器的影响 | 第81-84页 |
| 6.3.1 薄膜厚度对电致器件性能的影响 | 第81-83页 |
| 6.3.2 退火温度对电致器件性能的影响 | 第83-84页 |
| 6.4 本章小结 | 第84-87页 |
| 7 Ce_2Si_2O_7:RE~(3+)薄膜发光器件的制备及性能研究 | 第87-107页 |
| 7.1 Ce_2Si_2O_7:Tb~(3+)绿色电致发光器件的制备及性能研究 | 第87-95页 |
| 7.1.1 Ce_2Si_2O_7:Tb~(3+)薄膜电致发光器件的制备 | 第87-91页 |
| 7.1.2 Ce_2Si_2O_7:Tb~(3+)薄膜电致发光器件发光机理研究 | 第91-92页 |
| 7.1.3 Tb~(3+)浓度对器件发光强度的影响 | 第92-95页 |
| 7.2 Ce_2Si_2O_7:Yb~(3+)近红外光致发光器件的制备及性能研究 | 第95-102页 |
| 7.2.1 Ce_2Si_2O_7:Yb~(3+)薄膜光致发光器件的制备 | 第95-98页 |
| 7.2.2 Ce_2Si_2O_7:Yb~(3+)薄膜光致发光器件发光机理研究 | 第98-99页 |
| 7.2.3 Yb~(3+)浓度对器件发光强度的影响 | 第99-102页 |
| 7.3 Ce_2Si_2O_7:Nd~(3+)近红外光致发光器件的制备及性能研究 | 第102-105页 |
| 7.3.1 Ce_2Si_2O_7:Nd~(3+)薄膜光致发光器件的制备 | 第102-103页 |
| 7.3.2 Ce_2Si_2O_7:Nd~(3+)薄膜电致发光器件发光机理研究 | 第103-104页 |
| 7.3.3 Nd~(3+)浓度对器件发光强度的影响 | 第104-105页 |
| 7.4 本章小结 | 第105-107页 |
| 8 结论 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-119页 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第119-123页 |
| 学位论文数据集 | 第123页 |
