摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
论文的主要创新与贡献 | 第9-12页 |
第一章 文献综述 | 第12-34页 |
·引言 | 第12-14页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体材料的研究与应用现状 | 第14-15页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的制备方法 | 第15-19页 |
·体单晶生长技术 | 第15-16页 |
·外延生长技术 | 第16-19页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的性质 | 第19-32页 |
·晶体结构 | 第19-20页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的相图 | 第20-23页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的物理性质 | 第23-30页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe的热物性参数 | 第30-31页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe的晶体缺陷 | 第31-32页 |
·本文的研究内容 | 第32-34页 |
第二章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的生长技术研究 | 第34-46页 |
·坩埚镀膜工艺的优化 | 第34-41页 |
·镀膜方案的选择 | 第34-35页 |
·镀膜设备和基本工艺 | 第35-36页 |
·镀膜工艺参数的优化 | 第36-40页 |
·碳膜的退火处理 | 第40页 |
·碳膜的表面形貌观察 | 第40-41页 |
·晶体生长过程的温场设计 | 第41-43页 |
·晶体生长结束后的原位退火处理 | 第43-44页 |
·原料的配比及封装工艺的改进 | 第44-45页 |
·不同晶锭所采用的晶体生长工艺参数 | 第45页 |
·本章小结 | 第45-46页 |
第三章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的生长及性能表征 | 第46-58页 |
·晶体生长前的准备 | 第46-48页 |
·坩埚的预处理 | 第46-47页 |
·配料及封装 | 第47页 |
·合料 | 第47-48页 |
·晶体生长 | 第48-50页 |
·晶体生长的实验设备 | 第48-49页 |
·晶体生长过程的控制 | 第49页 |
·晶锭的原位退火 | 第49-50页 |
·晶体的加工处理 | 第50-52页 |
·切片 | 第50-51页 |
·晶片表面的机械磨抛 | 第51页 |
·化学抛光 | 第51-52页 |
·不同晶体生长工艺对晶体性能的影响 | 第52-57页 |
·晶体的成分分布 | 第52-54页 |
·晶体中的位错 | 第54-56页 |
·晶体的结晶质量 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
第四章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的电学性能研究 | 第58-70页 |
·范德堡法测试原理 | 第58-60页 |
·温度对晶片电学性能的影响 | 第60-63页 |
·实验 | 第60页 |
·结果与讨论 | 第60-63页 |
·表面损伤层对晶片电学性能的影响 | 第63-66页 |
·不同工艺所制晶锭的电学参数比较 | 第66-68页 |
·本章小结 | 第68-70页 |
第五章 金属与Hg_(1-x)Mn_xTe的接触特性 | 第70-76页 |
·电极材料的选择 | 第70页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体上金属电极的制备 | 第70-71页 |
·实验结果与讨论 | 第71-75页 |
·本章小结 | 第75-76页 |
第六章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的显微硬度分析 | 第76-87页 |
·不同表面处理对Hg_(1-x)Mn_xTe晶体显微硬度的影响 | 第76-78页 |
·显微硬度测量试验 | 第76-77页 |
·实验结果与讨论 | 第77-78页 |
·不同成分Hg_(1-x)Mn_xTe晶体显微硬度的ISE分析 | 第78-83页 |
·根据显微硬度计算的Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的其它力学性能 | 第83页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体硬度与成分的关系 | 第83-85页 |
·本章小结 | 第85-87页 |
第七章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的磁学性能研究 | 第87-99页 |
·实验方法 | 第87页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与磁场强度的关系 | 第87-89页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe磁化率与温度的关系 | 第89-91页 |
·Hg_(1-x)Mn_xTe的电阻率随温度和磁场的变化 | 第91-98页 |
·本章小结 | 第98-99页 |
主要结论 | 第99-101页 |
参考文献 | 第101-107页 |
攻读博士学位期间撰写和发表的论文 | 第107-108页 |
致谢 | 第108-109页 |