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稀磁半导体Hg1-xMnxTe的晶体生长及性能表征

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
论文的主要创新与贡献第9-12页
第一章 文献综述第12-34页
   ·引言第12-14页
   ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体材料的研究与应用现状第14-15页
   ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的制备方法第15-19页
     ·体单晶生长技术第15-16页
     ·外延生长技术第16-19页
   ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的性质第19-32页
     ·晶体结构第19-20页
     ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的相图第20-23页
     ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的物理性质第23-30页
     ·Hg_(1-x)Mn_xTe的热物性参数第30-31页
     ·Hg_(1-x)Mn_xTe的晶体缺陷第31-32页
   ·本文的研究内容第32-34页
第二章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的生长技术研究第34-46页
   ·坩埚镀膜工艺的优化第34-41页
     ·镀膜方案的选择第34-35页
     ·镀膜设备和基本工艺第35-36页
     ·镀膜工艺参数的优化第36-40页
     ·碳膜的退火处理第40页
     ·碳膜的表面形貌观察第40-41页
   ·晶体生长过程的温场设计第41-43页
   ·晶体生长结束后的原位退火处理第43-44页
   ·原料的配比及封装工艺的改进第44-45页
   ·不同晶锭所采用的晶体生长工艺参数第45页
   ·本章小结第45-46页
第三章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的生长及性能表征第46-58页
   ·晶体生长前的准备第46-48页
     ·坩埚的预处理第46-47页
     ·配料及封装第47页
     ·合料第47-48页
   ·晶体生长第48-50页
     ·晶体生长的实验设备第48-49页
     ·晶体生长过程的控制第49页
     ·晶锭的原位退火第49-50页
   ·晶体的加工处理第50-52页
     ·切片第50-51页
     ·晶片表面的机械磨抛第51页
     ·化学抛光第51-52页
   ·不同晶体生长工艺对晶体性能的影响第52-57页
     ·晶体的成分分布第52-54页
     ·晶体中的位错第54-56页
     ·晶体的结晶质量第56-57页
   ·本章小结第57-58页
第四章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的电学性能研究第58-70页
   ·范德堡法测试原理第58-60页
   ·温度对晶片电学性能的影响第60-63页
     ·实验第60页
     ·结果与讨论第60-63页
   ·表面损伤层对晶片电学性能的影响第63-66页
   ·不同工艺所制晶锭的电学参数比较第66-68页
   ·本章小结第68-70页
第五章 金属与Hg_(1-x)Mn_xTe的接触特性第70-76页
   ·电极材料的选择第70页
   ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体上金属电极的制备第70-71页
   ·实验结果与讨论第71-75页
   ·本章小结第75-76页
第六章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的显微硬度分析第76-87页
   ·不同表面处理对Hg_(1-x)Mn_xTe晶体显微硬度的影响第76-78页
     ·显微硬度测量试验第76-77页
     ·实验结果与讨论第77-78页
   ·不同成分Hg_(1-x)Mn_xTe晶体显微硬度的ISE分析第78-83页
   ·根据显微硬度计算的Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的其它力学性能第83页
   ·Hg_(1-x)Mn_xTe晶体硬度与成分的关系第83-85页
   ·本章小结第85-87页
第七章 Hg_(1-x)Mn_xTe晶体的磁学性能研究第87-99页
   ·实验方法第87页
   ·Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与磁场强度的关系第87-89页
   ·Hg_(1-x)Mn_xTe磁化率与温度的关系第89-91页
   ·Hg_(1-x)Mn_xTe的电阻率随温度和磁场的变化第91-98页
   ·本章小结第98-99页
主要结论第99-101页
参考文献第101-107页
攻读博士学位期间撰写和发表的论文第107-108页
致谢第108-109页

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