| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| §1.1 GaN材料的特点简介 | 第11-12页 |
| §1.2 GaN基电子器件研究进展 | 第12-14页 |
| ·GaN基电子器件应用研究 | 第12-13页 |
| ·GaN肖特基二极管与HMET器件制作的关键工艺 | 第13页 |
| ·本文试验中典型的Ni-Au肖特基接触的制作过程 | 第13-14页 |
| §1.3 本论文主要研究内容 | 第14-17页 |
| 第二章 金属半导体肖特基接触的基本理论 | 第17-25页 |
| §2.1 金属和半导体接触的基本理论 | 第17-18页 |
| ·金属和半导体的功函数 | 第17页 |
| ·接触电势差 | 第17-18页 |
| §2.2 肖特基势垒 | 第18-24页 |
| ·Schottky-Mott理论 | 第18-22页 |
| ·镜像力势垒下降效应 | 第22-24页 |
| ·隧穿效应的影响 | 第24页 |
| §2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 GaN肖特基接触的电流输运机制研究 | 第25-37页 |
| §3.1 肖特基接触电流输运的基础理论 | 第25-28页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·热电子发射和扩散理论 | 第25-27页 |
| ·考虑隧道电流的热电子发射理论 | 第27页 |
| ·复合理论与空穴注入理论 | 第27-28页 |
| §3.2 肖特基二极管参数的提取方法 | 第28-30页 |
| ·I-V测试提取势垒高度和理想因子的方法 | 第28-29页 |
| ·C-V测试提取势垒高度和掺杂浓度N_D的方法 | 第29-30页 |
| §3.3 基于I-V-T和C-V-T的GaN肖特基接触电流输运机理研究 | 第30-35页 |
| ·GaN肖特基电流输运机理研究概况 | 第30-31页 |
| ·试验与测试设计 | 第31页 |
| ·试验结果分析与讨论 | 第31-34页 |
| ·结论 | 第34-35页 |
| §3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 材料特性对于Ni/Au肖特基接触影响研究 | 第37-57页 |
| §4.1 半导体材料表面介质层肖特基接触的影响 | 第37-40页 |
| ·材料表面状态对肖特基接触影响的基础理论 | 第37-39页 |
| ·半导体表面本征氧化层对肖特基接触的影响 | 第39-40页 |
| ·制作工艺中人为引入的氧化层对肖特基接触的影响 | 第40页 |
| §4.2 采用表面处理的方法提高肖特基接触特性研究 | 第40-45页 |
| ·O_2离子体处理对肖特基特性影响 | 第40-42页 |
| ·对于AlGaN/GaN的不同溶液表面处理 | 第42-43页 |
| ·对于GaN体材料溶液表面处理出现的新问题研究 | 第43-45页 |
| §4.3 GaN材料缺陷与表面氧化层对肖特基接触的影响 | 第45-49页 |
| §4.4 GaN材料表面处理+后期退火得到良好的肖特基接触的方法 | 第49-50页 |
| §4.5 GaN材料Si掺杂浓度对肖特基接触的影响 | 第50-52页 |
| ·无意识掺杂GaN材料在器件制作中存在的问题 | 第50页 |
| ·不同掺杂浓度的GaN体材料上肖特基接触特性研究 | 第50-52页 |
| §4.6 GaN材料中的Al组分对肖特基接触的影响 | 第52-55页 |
| §4.7 本章小节 | 第55-57页 |
| 第五章 ICP刻蚀损伤对n-GaN肖特基接触的影响 | 第57-63页 |
| §5.1 ICP刻蚀损伤的研究背景 | 第57页 |
| §5.2 试验设计与测试方案 | 第57-58页 |
| §5.3 试验结果分析与讨论 | 第58-62页 |
| §5.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结束语 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第71页 |
