当前位置:
首页
--
数理科学和化学
--
物理学
--
固体物理学
--
薄膜物理学
--
薄膜的生长、结构和外延
SiCOH低k薄膜的ECR等离子体沉积与介电性能研究
载能沉积过程与异质外延生长行为的分子动力学模拟研究
ZnO和ZnO/MgO复合层薄膜的PLD法制备及其特性研究
射频反应磁控溅射ZnO薄膜能带工程相关问题研究
抗电子发射Hf、SiC薄膜的制备及机理研究
溶胶—凝胶法制备钛酸锶铅薄膜和多层膜及其介电性质
磁控溅射法制备WO3电致变色薄膜和钛掺杂改性研究
热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜的研究
PBAIP等离子体鞘层物理特性的应用研究
掺杂CeO2电解质薄膜的磁控溅射制备工艺探索
等离子体技术制备硅碳氮薄膜研究
等离子体发射光谱及其在ZnO薄膜生长中的应用
ZnO纳米材料的制备及其特性研究
薄膜生长初期过程的计算机模拟
气相沉积薄膜的择优取向及其价电子结构分析
Ni掺杂ZnO薄膜的制备与性质
常压介质阻挡放电聚合聚吡咯的研究
磁控溅射制备TiAlN和ZnO薄膜的研究
ZnO薄膜的制备及其掺杂研究
潘宁放电及其制备纳米膜的研究
有机半导体薄膜生长及其性质研究
基于硅基光波导的铁电薄膜的制备与性能研究
磁控溅射技术设计合成ZrN/WN和CrN/ZrN纳米多层膜的研究
合成参数对ZrN/W和CrN/ZrN纳米多层膜的结构及其性能的影响
面心立方合金薄膜基态的研究
太阳能电池用多晶硅薄膜的制备研究
PLD法在Si衬底上取向生长Ba0.5Sr0.5TiO3/La0.5Sr0.5CoO3薄膜的研究
PECVD法制备a-C:F:N薄膜的结构和稳定性研究
MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO薄膜
大面积金刚石厚膜的制备
高质量氧化锌薄膜和低维结构的制备及研究
反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的结构和性能研究
脉冲激光法制备高介电系数铁电薄膜和多层膜
超薄薄膜各向异性生长的KMC模拟
非均匀基底上薄膜生长的计算机模拟
Pb-Sn合金的薄层电沉积生长
薄膜三维生长的Kinetic Monte Carlo模拟
铝薄膜和铅薄膜的电子生长褪火对铅薄膜稳定性的影响、铅薄膜中电子态及利用STM进竿原子操纵的研究
PtCo-C纳米颗粒膜的结构和磁性研究
钙钛矿结构薄膜的制备和性能研究
YMnO3及相关锰氧化物薄膜的制备与表征
Si衬底上ZnSe,ZnTe薄膜及其量子阱的LP-MOCVD生长和光学特性
C60的制备及其掺银薄膜的结构分析
CVD法生长碳纳米薄膜的研究
强流脉冲离子束类金刚石薄膜沉积及高速钢辐照处理研究
微波-ECR等离子体增强非平衡磁控溅射技术及CN薄膜的制备研究
低温生长高质量氧化锌薄膜及其特性研究
脉冲激光烧蚀石墨靶制备超硬非晶碳膜
微波ECRCVD制备a-C:F:H薄膜的结构与性能研究
微波功率和真空退火对a-C:F,H膜结构和性质的影响
上一页
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
下一页