| 第一章 引言 | 第1-43页 |
| ·研究背景 | 第13-18页 |
| ·多孔(超)低介电常数材料简介 | 第18-22页 |
| ·多孔介质的基本概念 | 第18-19页 |
| ·多孔(超)低k介质分类与结构性质 | 第19-21页 |
| ·多孔(超)低k介质的制备技术 | 第21-22页 |
| ·SiCOH多孔(超)低k材料研究的主要进展 | 第22-34页 |
| ·SiCOH多孔(超)低k材料的加工技术 | 第23-24页 |
| ·SiCOH多孔(超)低k材料的结构与成份 | 第24-27页 |
| ·SiCOH多孔(超)低k材料的物性 | 第27-29页 |
| ·SiCOH多孔(超)低k材料的微结构表征 | 第29-34页 |
| ·存在的主要问题 | 第34-36页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-43页 |
| 第二章 SiCOH低k薄膜的制备与表征方法 | 第43-59页 |
| ·SiCOH薄膜的制备方法 | 第43-48页 |
| ·电子回旋共振(ECR)等离子体形成的基本原理 | 第43-44页 |
| ·微波ECR-CVD装置与实验技术 | 第44-46页 |
| ·实验方案与工艺参数 | 第46-48页 |
| ·SiCOH薄膜结构与性能的表征方法 | 第48-54页 |
| ·薄膜键结构的傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析 | 第48-50页 |
| ·薄膜成份的X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第50-51页 |
| ·薄膜孔隙率的椭偏法分析(EP) | 第51-52页 |
| ·介电性能的分析测试方法 | 第52-54页 |
| ·电学性能的分析测试方法 | 第54页 |
| ·放电等离子体的发射光谱分析 | 第54-57页 |
| ·等离子体发射光谱的产生机理 | 第54-55页 |
| ·相对辐射测量的定义 | 第55页 |
| ·放电等离子体中基团浓度的定量测量 | 第55页 |
| ·DMCPS及CH_4、CHF_3、O_2掺杂的气体放电等离子体发射光谱的测量方法 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第三章 基于孔隙的SiCOH低k薄膜的结构性能 | 第59-75页 |
| ·十甲基环五硅氧烷(DMCPS)沉积的SiCOH薄膜键结构性能 | 第59-68页 |
| ·SiCOH薄膜键结构的红外光谱分析 | 第59-63页 |
| ·SiCOH薄膜中孔隙的来源与结构特征 | 第63-65页 |
| ·SiCOH薄膜中Si-OH结构的起源与控制 | 第65-68页 |
| ·O_2掺杂的SiCOH薄膜键结构性能 | 第68-72页 |
| ·O_2掺杂的SiCOH薄膜结构的红外光谱分析 | 第68-70页 |
| ·O_2掺杂SiCOH薄膜的孔隙特征 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第四章 基于弱极性键与孔隙结合的SiCOH低k薄膜的结构性能 | 第75-95页 |
| ·CHF_3掺杂SiCOH薄膜的结构分析 | 第75-88页 |
| ·CHF_3掺杂SiCOH薄膜结构的红外分析 | 第75-80页 |
| ·CHF_3掺杂SiCOH薄膜结构的成份分析 | 第80-81页 |
| ·CHF_3掺杂SiCOH薄膜键态的XPS分析 | 第81-86页 |
| ·CHF_3掺杂SiCOH薄膜的孔隙特征 | 第86-88页 |
| ·CHF_3掺杂SiCOH薄膜的弱极化键形成 | 第88页 |
| ·CH_4掺杂SiCOH薄膜的结构分析 | 第88-92页 |
| ·CH_4掺杂SiCOH薄膜结构的红外分析 | 第88-90页 |
| ·CH_4掺杂SiCOH薄膜的孔隙特征 | 第90页 |
| ·CH_4掺杂SiCOH薄膜的弱极化键形成 | 第90-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 第五章 SiCOH薄膜的介电性能 | 第95-111页 |
| ·多孔(超)低k材料的电介质物理基础 | 第95-99页 |
| ·介质极化来源的微观机制 | 第95-97页 |
| ·多孔介质极化起源 | 第97-99页 |
| ·基于孔隙的SiCOH薄膜的介电与电学性能 | 第99-105页 |
| ·SiCOH薄膜的介电常数 | 第99-102页 |
| ·SiCOH薄膜的低频介电色散 | 第102-103页 |
| ·SiCOH薄膜的漏电流与击穿场强 | 第103-105页 |
| ·基于弱极性键与孔隙相结合的SiCOH薄膜的介电性能 | 第105-107页 |
| ·CHF_3掺杂对SiCOH薄膜的介电性能的影响 | 第105-106页 |
| ·CH_4掺杂对SiCOH薄膜的介电性能的影响 | 第106-107页 |
| ·本章小结 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-111页 |
| 第六章 SiCOH薄膜结构与放电等离子体间的关联 | 第111-135页 |
| ·DMCPS的ECR放电等离子体发射光谱分析 | 第111-121页 |
| ·DMCPS的ECR放电等离子体发射光谱 | 第111-118页 |
| ·DMCPS的ECR放电等离子体化学反应 | 第118-120页 |
| ·DMCPS的ECR放电等离子体与SiCOH薄膜结构的关联 | 第120-121页 |
| ·O_2／DMCPS的ECR放电等离子体发射光谱分析 | 第121-123页 |
| ·O_2／DMCPS的ECR放电等离子体发射光谱 | 第121-122页 |
| ·O_2／DMCPS等离子体中活性基团随O_2流量的变化关系 | 第122-123页 |
| ·CHF_3／DMCPS的ECR放电等离子体发射光谱分析 | 第123-130页 |
| ·CHF_3／DMCPS的ECR放电等离子体发射光谱 | 第123-128页 |
| ·F掺杂薄膜生长的放电等离子体关联 | 第128-130页 |
| ·CH_4／DMCPS的ECR放电等离子体发射光谱分析 | 第130-132页 |
| ·CH_4／DMCPS的ECR放电等离子体发射光谱 | 第130-131页 |
| ·CH_4／DMCPS等离子体中活性基团随CH_4流量的变化关系 | 第131-132页 |
| ·本章小结 | 第132-133页 |
| 参考文献 | 第133-135页 |
| 第七章 结论 | 第135-140页 |
| ·结论 | 第135-137页 |
| ·存在的问题及今后的研究方向 | 第137-140页 |
| ·存在的问题 | 第137-138页 |
| ·今后的研究方向 | 第138-140页 |
| 创新性说明 | 第140-141页 |
| 攻读博士学位期间发表论文、获奖与项目鉴定目录 | 第141-144页 |
| 附录一：SiCOH及F、CH掺杂薄膜键结构的FTIR谱峰识别 | 第144-153页 |
| 附录二：SiCOH及F、CH掺杂薄膜结构XPS分析的谱峰识别 | 第153-158页 |
| 附录三：激发基团发射光谱特征谱线表 | 第158-167页 |
| 致谢 | 第167-168页 |
| 中文详细摘要 | 第168-178页 |
