抗电子发射Hf、SiC薄膜的制备及机理研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-16页 |
| ·栅控脉冲行波管概况 | 第8-10页 |
| ·栅控脉冲行波管结构与工作原理 | 第8-9页 |
| ·行波管的栅极电子发射现象 | 第9-10页 |
| ·行波管的应用 | 第10页 |
| ·Hf膜和C膜用来抑制栅电子发射的研究进展 | 第10-13页 |
| ·Hf薄膜用来抑制电子发射的研究进展 | 第10-11页 |
| ·C膜抑制栅发射机理研究概况 | 第11-12页 |
| ·SiC膜及其它抑制栅发射机理研究概况 | 第12-13页 |
| ·本论文工作的意义及主要研究内容 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 Hf膜、BaO涂层的制备 | 第16-25页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第16-20页 |
| ·溅射镀膜 | 第16-17页 |
| ·射频溅射原理 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射原理 | 第18-19页 |
| ·射频磁控溅射技术的特点 | 第19-20页 |
| ·Hf膜的沉积 | 第20-22页 |
| ·薄膜沉积装置 | 第20-22页 |
| ·薄膜沉积条件 | 第22页 |
| ·BaO涂层的制备以及退火处理 | 第22-25页 |
| ·BaO涂层制备 | 第22-23页 |
| ·样品的退火处理 | 第23-25页 |
| 第三章 薄膜的表征 | 第25-29页 |
| ·膜厚的测量 | 第25-26页 |
| ·X射线衍射分析 | 第26页 |
| ·傅立叶变换红外光谱分析 | 第26-27页 |
| ·光电子能谱分析 | 第27页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第四章 Hf薄膜抑制栅发射机理研究 | 第29-40页 |
| ·Hf膜的结构 | 第29-30页 |
| ·Hf膜抑制栅电子发射机理的讨论 | 第30-38页 |
| ·试验二极管的制作 | 第30-31页 |
| ·试验二极管Ⅰ-Ⅴ曲线测量 | 第31页 |
| ·试验二极管Ⅰ-Ⅴ曲线测量结果 | 第31-33页 |
| ·栅极的表面分析 | 第33-38页 |
| ·小结 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第五章 SiC薄膜制备与特性 | 第40-59页 |
| ·SiC薄膜的研究概况 | 第40-41页 |
| ·SiC薄膜硬度、耐磨性 | 第40页 |
| ·SiC热稳定性 | 第40-41页 |
| ·SiC的电学性质 | 第41页 |
| ·SiC的多型结构 | 第41页 |
| ·SiC薄膜的制备 | 第41-48页 |
| ·物理气相沉积(PVD) | 第42-44页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第44-45页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD) | 第45-47页 |
| ·光化学气相沉积 | 第47页 |
| ·SiC薄膜面临的问题 | 第47-48页 |
| ·本文实验 | 第48-49页 |
| ·衬底的清洗 | 第48-49页 |
| ·样品的制备 | 第49页 |
| ·衬底温度对SiC薄膜的影响讨论 | 第49-52页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·样品的XRD衍射谱 | 第50页 |
| ·不同温度下SiC薄膜的红外光谱(FTIR)分析 | 第50-51页 |
| ·如何减小薄膜中SiO_x的含量 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52页 |
| ·射频功率的影响 | 第52-54页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·样品制备参数 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54页 |
| ·偏压对SiC薄膜的影响 | 第54-56页 |
| ·实验参数 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-61页 |
| 硕士期间发表论文目录 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 中文详细摘要 | 第64-66页 |
