| 第一章 前言 | 第1-23页 |
| §1.1 低温等离子体及其在微电子领域中的应用 | 第13-15页 |
| §1.2 半导体ZnO薄膜材料的概述 | 第15-16页 |
| §1.3 半导体ZnO薄膜材料的基本性质 | 第16-19页 |
| §1.4 ZnO薄膜材料的制备方法及存在的局限 | 第19-21页 |
| §1.5 研究动机及本论文的研究内容和途径 | 第21页 |
| 本章参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 ZnO薄膜磁控溅射生长系统及薄膜的制备和测量 | 第23-35页 |
| §2.1 磁控溅射技术简介 | 第23-27页 |
| §2.2 磁控溅射系统及ZnO薄膜的制备 | 第27-29页 |
| §2.3 磁控溅射发射光谱分析和ZnO薄膜的测试 | 第29-33页 |
| 本章小结 | 第33-34页 |
| 本章参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 磁控溅射ZnO薄膜的生长和特性分析 | 第35-46页 |
| §3.1 薄膜样品的表面形貌分析 | 第35-37页 |
| §3.2 薄膜样品的XRD谱分析 | 第37-38页 |
| §3.3 薄膜样品的拉曼谱及透射谱分析 | 第38-42页 |
| §3.4 薄膜样品的激发谱及室温荧光光谱分析 | 第42页 |
| §3.5 ZnO的能带结构及其激子特性 | 第42-45页 |
| 本章小结 | 第45页 |
| 本章参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 ZnO薄膜的掺杂特性研究 | 第46-66页 |
| §4.1 未掺杂的ZnO薄膜及p型ZnO的掺杂理论 | 第46-47页 |
| §4.2 ZnO薄膜的掺杂研究现状 | 第47-49页 |
| §4.3 O_2-NH_3-Ar气氛下生长N掺杂ZnO薄膜的掺杂特性 | 第49-53页 |
| §4.4 O_2-N_2-Ar气氛下生长N掺杂ZnO薄膜的掺杂特性 | 第53-57页 |
| §4.5 双靶共溅法制备Al和N+Al掺杂ZnO薄膜的掺杂特性 | 第57-60页 |
| §4.6 双靶共溅法制备N+Fe掺杂ZnO薄膜的掺杂特性 | 第60-63页 |
| §4.7 各掺杂样品折射率的研究与N、N+Al掺杂机理 | 第63-64页 |
| 本章小结 | 第64-65页 |
| 本章参考文献 | 第65-66页 |
| 第五章 ZnO薄膜及其纳米管CVD技术生长的特性研究 | 第66-77页 |
| §5.1 化学气相沉积(CVD)技术的概述及基本原理 | 第66-68页 |
| §5.2 常压CVD法ZnO薄膜的制备及特性研究 | 第68-72页 |
| §5.3 CVD法制备ZnO纳米管的拉曼光谱分析 | 第72-75页 |
| 本章小结 | 第75-76页 |
| 本章参考文献 | 第76-77页 |
| 第六章 ZnO作为有源区的p-n同质、异质结及相关器件的设计 | 第77-82页 |
| §6.1 ZnO薄膜p-n结的制备及其特性研究进展 | 第77-78页 |
| §6.2 发光二极管(LED)的结构及器件设计 | 第78-81页 |
| 本章小结 | 第81页 |
| 本章参考文献 | 第81-82页 |
| 结论 | 第82-84页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
