中文摘要 | 第1-5页 |
英文摘要 | 第5-8页 |
第一章 引言 | 第8-12页 |
·铁电薄膜的研究历史 | 第8-10页 |
·Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜的研究概况 | 第10页 |
·Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜的制备方法 | 第10-12页 |
第二章 实验安排 | 第12-23页 |
·PLD法的基本原理和技术优势 | 第12-16页 |
·PLD的基本原理 | 第12-14页 |
·PLD的技术优势 | 第14-16页 |
·薄膜的成核生长理论与外延薄膜的生长特性简介 | 第16-19页 |
·薄膜的成核生长理论 | 第16-17页 |
·外延薄膜的生长特性 | 第17-19页 |
·BST薄膜衬底的选择 | 第19页 |
·BST薄膜底电极的选择 | 第19-23页 |
第三章 BST靶材的制备与研究 | 第23-30页 |
·预烧和烧结过程 | 第23-25页 |
·烧结温度对靶材介电性能的影响 | 第25-27页 |
·陶瓷的SEM图 | 第27-30页 |
第四章 PLD法在Si上生长C轴取向的Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3/La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜 | 第30-43页 |
·本实验PLD系统简介 | 第30-31页 |
·PLD制膜中影响薄膜质量的因素 | 第31-32页 |
·Si衬底的表面处理 | 第32-33页 |
·PLD法制备薄膜的实验过程 | 第33-34页 |
·实验分析、测试手段 | 第34页 |
·实验结果及分析 | 第34-43页 |
第五章 结论 | 第43-44页 |
参考文献 | 第44-49页 |
攻读硕士学位期间完成的学术论文 | 第49-50页 |
致谢 | 第50页 |