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PLD法在Si衬底上取向生长Ba0.5Sr0.5TiO3/La0.5Sr0.5CoO3薄膜的研究

中文摘要第1-5页
英文摘要第5-8页
第一章 引言第8-12页
   ·铁电薄膜的研究历史第8-10页
   ·Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜的研究概况第10页
   ·Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜的制备方法第10-12页
第二章 实验安排第12-23页
   ·PLD法的基本原理和技术优势第12-16页
     ·PLD的基本原理第12-14页
     ·PLD的技术优势第14-16页
   ·薄膜的成核生长理论与外延薄膜的生长特性简介第16-19页
     ·薄膜的成核生长理论第16-17页
     ·外延薄膜的生长特性第17-19页
   ·BST薄膜衬底的选择第19页
   ·BST薄膜底电极的选择第19-23页
第三章 BST靶材的制备与研究第23-30页
   ·预烧和烧结过程第23-25页
   ·烧结温度对靶材介电性能的影响第25-27页
   ·陶瓷的SEM图第27-30页
第四章 PLD法在Si上生长C轴取向的Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3/La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜第30-43页
   ·本实验PLD系统简介第30-31页
   ·PLD制膜中影响薄膜质量的因素第31-32页
   ·Si衬底的表面处理第32-33页
   ·PLD法制备薄膜的实验过程第33-34页
   ·实验分析、测试手段第34页
   ·实验结果及分析第34-43页
第五章 结论第43-44页
参考文献第44-49页
攻读硕士学位期间完成的学术论文第49-50页
致谢第50页

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