基于硅基光波导的铁电薄膜的制备与性能研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-30页 |
| ·光波导和集成光电器件 | 第9-11页 |
| ·铁电材料及铁电薄膜 | 第11-13页 |
| ·SBN薄膜的性能及应用 | 第13-14页 |
| ·铁电薄膜硅基光波导 | 第14-18页 |
| ·硅基光波导多层薄膜结构 | 第15页 |
| ·衬底的选择 | 第15-16页 |
| ·双缓冲层的引入 | 第16-17页 |
| ·用作缓冲层、扩散阻隔层和电极的TiN薄膜 | 第17页 |
| ·缓冲层MgO薄膜 | 第17-18页 |
| ·缓冲层MgAl_2O_4尖晶石薄膜 | 第18-20页 |
| ·国内外研究现状 | 第20-25页 |
| ·多层结构铁电薄膜研究 | 第20-21页 |
| ·氮化钛薄膜研究 | 第21-23页 |
| ·铁电薄膜光波导器件研究 | 第23-25页 |
| ·本论文的研究内容及创新点 | 第25-30页 |
| 第2章 薄膜的制备和表征方法 | 第30-39页 |
| ·磁控溅射方法 | 第30-32页 |
| ·Sol-gel法 | 第32-33页 |
| ·制备过程中的退火处理 | 第33-34页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第34-39页 |
| ·XRD测试 | 第35页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第35-36页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第36-37页 |
| ·薄膜的性能表征方法 | 第37-39页 |
| 第3章 TiN薄膜的制备和性能表征 | 第39-55页 |
| ·TiN薄膜的性质及应用 | 第39-42页 |
| ·TiN薄膜制备研究现状 | 第42-43页 |
| ·TiN薄膜的制备条件 | 第43页 |
| ·TiN薄膜的物理性质表征 | 第43-51页 |
| ·XRD测试 | 第43-47页 |
| ·AFM扫描图 | 第47-48页 |
| ·SEM扫描图 | 第48-49页 |
| ·EDAX表面能谱测试 | 第49-51页 |
| ·TiN薄膜的性能表征 | 第51-55页 |
| ·TiN薄膜的电学性能测试 | 第51-52页 |
| ·TiN薄膜的光学特性测试 | 第52-55页 |
| 第4章 MgAl_2O_4薄膜的制备和表征 | 第55-61页 |
| ·药品材料及药品处理 | 第55页 |
| ·薄膜的制备流程及装置 | 第55-56页 |
| ·制备过程中的参数控制及细节处理 | 第56-57页 |
| ·抽真空及氩气保护 | 第56-57页 |
| ·镁醇盐的制备过程 | 第57页 |
| ·铝醇盐的制备过程 | 第57页 |
| ·混合金属醇盐 | 第57页 |
| ·薄膜沉积过程 | 第57-58页 |
| ·MgAl_2O_4薄膜的表征 | 第58-61页 |
| ·XRD测试 | 第58-59页 |
| ·AFM扫描图 | 第59-61页 |
| 第5章 SBN铁电薄膜的制备和性能表征 | 第61-74页 |
| ·SBN薄膜制备研究现状 | 第61-62页 |
| ·SBN薄膜的制备 | 第62-65页 |
| ·缓冲层KSBN的制备 | 第62-64页 |
| ·以KSBN为缓冲层制备SBN薄膜 | 第64-65页 |
| ·KNSBN薄膜的制备 | 第65页 |
| ·SBN薄膜的表征 | 第65-73页 |
| ·KSBN的XRD表征 | 第65-69页 |
| ·以KSBN为缓冲层的SBN薄膜表征 | 第69-70页 |
| ·KNSBN薄膜的XRD表征 | 第70-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 第6章 总结与展望 | 第74-77页 |
| ·对于所做工作的总结 | 第74-75页 |
| ·下一步研究工作 | 第75页 |
| ·进一步需要解决的问题 | 第75页 |
| ·提出的建议 | 第75页 |
| ·铁电薄膜的发展前景 | 第75-77页 |
| 攻读硕士期间发表学术论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
