| 第一章 前言 | 第1-26页 |
| ·概述 | 第7-8页 |
| ·ZnO 薄膜的基本性质及应用 | 第8-14页 |
| ·ZnO 薄膜制备方法及缺陷 | 第14-17页 |
| ·P-ZnO 材料的研究现况 | 第17-24页 |
| ·本论文研究动机和主要工作 | 第24-26页 |
| 第二章 生长 ZnO 的 MOCVD 反应系统 | 第26-35页 |
| ·MOCVD 技术简介 | 第26-28页 |
| ·MOCVD 生长 ZnO 薄膜源材料的选择 | 第28-29页 |
| ·生长 ZnO 的等离子体增强 MOCVD 系统 | 第29-35页 |
| 第三章 GaAs 衬底上 ZnO 薄膜的生长和特性研究 | 第35-53页 |
| ·GaAs 衬底上 ZnO 薄膜的生长 | 第35页 |
| ·生长温度对 ZnO 薄膜的影响 | 第35-39页 |
| ·温度对 ZnO 薄膜晶体结构的影响 | 第35-37页 |
| ·温度对 ZnO 薄膜光致发光特性的影响 | 第37-39页 |
| ·退火对 ZnO 薄膜的影响 | 第39-44页 |
| ·退火对 ZnO 薄膜晶体结构的影响 | 第39-41页 |
| ·退火对 ZnO 薄膜光致发光特性的影响 | 第41-44页 |
| ·GaAs 衬底上 P-ZnO 薄膜的研究 | 第44-53页 |
| ·ZnO 薄膜的 XPS 谱测量 | 第44-48页 |
| ·ZnO 薄膜 Hall 效应的测量 | 第48-51页 |
| ·ZnO 薄膜 P 型成因的分析 | 第51-53页 |
| 第四章 结 论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 摘要 | 第62-65页 |
| ABSTRACT | 第65-68页 |
| 致谢 | 第68页 |