| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-20页 |
| ·ZnO 材料的基本性质及研究进展 | 第7-16页 |
| ·当前ZnO 材料研究中存在的主要问题 | 第16页 |
| 参考文献 | 第16-20页 |
| 第二章 等离子辅助的分子束外延设备及常用样品表征手段 | 第20-37页 |
| ·薄膜制备设备 | 第20-25页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第20-24页 |
| ·等离子体辅助分子束外延(P-MBE) | 第24-25页 |
| ·相关表征手段 | 第25-35页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第25-27页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED) | 第27-29页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第30页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第30-32页 |
| ·微区光致发光谱(PL) | 第32-33页 |
| ·透射-反射谱(Transmission and reflection spectra) | 第33-34页 |
| ·霍尔效应(Hall effect) | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 ZnO 薄膜的结构与光电特性 | 第37-54页 |
| ·高质量ZnO 薄膜制备过程及生长维度的控制 | 第38-39页 |
| ·ZnO 薄膜的结构特性 | 第39-41页 |
| ·ZnO 薄膜的光电特性 | 第41-46页 |
| ·ZnO 薄膜的质量改善 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 第四章 ZnO 纳米管的制备与光电特性 | 第54-76页 |
| ·ZnO 单晶纳米管制备与表征 | 第55-56页 |
| ·ZnO 纳米管的结构与形成机理 | 第56-63页 |
| ·ZnO 纳米管的受激发射 | 第63-71页 |
| ·ZnO 纳米管的场发射性质 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第五章 氧化锌结型器件的初步研究 | 第76-90页 |
| ·氧化锌同质p-n 结 | 第77-83页 |
| ·p 型掺杂初步研究 | 第77-79页 |
| ·p 型氧化锌薄膜的结构与光电特性 | 第79-83页 |
| ·氧化锌异质p-n 结 | 第83-87页 |
| ·氧化锌与GaN 异质结的能带结构 | 第83-84页 |
| ·ZnO/GaN 异质结发光二极管的制备 | 第84-85页 |
| ·ZnO/GaN 异质结发光二极管的光电特性 | 第85-87页 |
| ·本章小结 | 第87页 |
| 参考文献 | 第87-90页 |
| 第六章 结论 | 第90-91页 |
| 作者简介 | 第91页 |
| 攻读博士学位期间承担的主要工作及成果 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 博士学位论文原创性声明 | 第94页 |