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载能沉积过程与异质外延生长行为的分子动力学模拟研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
1 绪论第10-18页
   ·低温等离子体技术应用简介第10页
   ·薄膜科学的发展概况和重要意义第10-13页
   ·本论文工作的研究背景和研究重点第13-18页
2 计算机模拟方法与原子间相互作用势第18-31页
   ·计算机模拟的现实意义与发展概况第18-20页
   ·分子动力学原理第20-23页
     ·分子动力学基本方程第20-21页
     ·分子动力学算法第21-23页
     ·等温系综的分子动力学方法第23页
   ·计算机模拟中的原子间相互作用势第23-31页
     ·基于有效介质方法的原子间相互作用势简介第23-24页
     ·有效介质理论(EMT)和嵌入原子方法(EAM)第24页
     ·EAM原子间相互作用势第24-28页
     ·金属表面能与表面应力的计算第28-31页
3 低能原子与表面的相互作用第31-64页
   ·模型近似方法第32-33页
   ·低能原子与纯净Pt(111)表面的相互作用第33-45页
     ·物理模型第33-34页
     ·低能表面溅射第34-40页
     ·表面吸附原子产额与分布第40-44页
     ·空位缺陷产额第44-45页
   ·替位杂质对低能原子与Pt(111)表面相互作用的影响第45-62页
     ·替位杂质对贵金属(111)表面稳定性的影响第46-52页
     ·替位杂质对Pt(111)表面低能沉积过程的影响第52-62页
   ·本章小结第62-64页
4 表面吸附原子扩散行为研究第64-79页
   ·相关参量的计算方法第64-65页
     ·表面势垒的计算方法第64-65页
     ·表面局域压力的计算方法第65页
   ·Cu吸附原子与Cu表面晶格的相互作用及其对扩散的影响第65-72页
     ·计算模型第66页
     ·表面吸附原子所导致的晶格畸变第66-69页
     ·表面吸附原子与表面晶格的相互作用对扩散的影响第69-72页
   ·表面Cu原子间相互作用对Cu(001)表面跳跃扩散行为的影响第72-78页
     ·计算模型第73-74页
     ·吸附原子沿低局域应力沟道的扩散第74-75页
     ·非应力沟道位置的吸附原子扩散行为第75-78页
   ·本章小结第78-79页
5 异质外延生长行为研究第79-107页
   ·相关物理参数的计算方法第80-81页
     ·外延岛与基体的膜基结合能第80页
     ·基体的形变能第80页
     ·原子的局域压力第80-81页
   ·Au/Cu(001)与Ag/Cu(001)体系异质外延生长中的应变释放与结构演化第81-84页
     ·计算模型第81页
     ·异质外延岛的形貌演化第81-83页
     ·外延岛与基体的结合强度第83-84页
   ·Cu-Au体系非对称异质外延行为研究第84-92页
     ·模型与方法第85页
     ·外延岛形貌和应变分布的非对称演化行为第85-89页
     ·微观失配对外延岛与基体的结合能及基体形变能的影响第89-92页
   ·Al/Fe(001)准同构体系异质外延生长研究第92-100页
     ·计算模型第93页
     ·外延岛与基体表层的形貌演化第93-95页
     ·外延岛与基体的结合及成键特征第95-97页
     ·外延岛对基体形变及应力分布的影响第97-100页
   ·Ti/Fe(001)非同构体系异质外延生长研究第100-105页
     ·外延岛与基体表层的形貌演化第100-102页
     ·外延岛的平均键长与微观失配状态第102-104页
     ·外延岛和基体的应变状态第104-105页
   ·本章小结第105-107页
结论第107-109页
参考文献第109-117页
攻读博士学位期间发表学术论文情况第117-119页
创新点摘要第119-120页
致谢第120-121页
大连理工大学学位论文版权使用授权书第121页

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